[发明专利]制作陶瓷封装件中的密封电气连接的方法以及包含此封装件的图像增强管

权利要求书

1.一种用于制作穿通陶瓷封装件的壁的密封电气连接的方法，所述陶瓷封装件特别是图像增强管的陶瓷封装件，所述陶瓷封装件设置有通孔，所述通孔经由第一孔口在所述陶瓷封装件的内表面上打开以及经由第二孔口在所述陶瓷封装件的外表面上打开，其特征在于，

通过依序地沉积金属接合层(510)、沉积扩散屏障层(520)以及沉积润湿剂层(530)，使所述通孔金属化以得到穿孔；

将部分的填料金属被沉积在所述第一孔口和所述第二孔口的每一个之上(540)，所述填料金属由铟或选自于AuSn、AuGe、AgSn、InSn的共熔物制成；

使所述部分的填料金属熔化(550)，所熔化的填料金属封闭所述穿孔而使其成为密封。

2.根据权利要求1所述的用于制作穿通陶瓷封装件的壁的密封电气连接的方法，其特征在于，所述接合层系由选自于钨、钼、钛以及铬的金属制成。

3.根据权利要求1或2所述的用于制作穿通陶瓷封装件的壁的密封电气连接的方法，其特征在于，所述扩散层系由选自于镍、铬、镍-铬合金以及铂之中的金属制成。

4.根据前述权利要求中任一项所述的用于制作穿通瓷封装件的壁的密封电气连接的方法，其特征在于，所述润湿剂层系由金或银制成。

5.根据前述权利要求中任一项所述的用于制作穿通陶瓷封装件的壁的密封电气连接的方法，其特征在于，所述AuSn共熔物由80％的金和20％的锡所构成，所述AuGe共熔物由88％的金和12％的锗所构成，所述AgSn共熔物由96.5％的锡和3.5％的银所构成，所述InSn共熔物系由52％的铟和48％的锡所构成，上述百分比以质量计。

6.一种图像增强管，包括：形成管体的陶瓷封装件(210)；入射窗(220)，在所述入射窗的内侧面上沉积有光阴极并且所述入射窗在第一末端处封闭该管；出射窗(230)，在所述出射窗的内侧面上沉积有磷屏；以及被称为MCP的微通道板(240)，所述通道板落在所述陶瓷封装件的肩部(211)上；所述陶瓷封装件设置有贯穿其壁并且连接所述MCP的电极和外部接触销的电气连接，其特征在于，所述电气连接使用权利要求1所述的方法制成。

7.根据权利要求6所述的图像增强管，其特征在于，所述陶瓷封装件包括位于其顶端部分上的垂直的环形止挡(219)，所述止挡是所述陶瓷封装件的组成部分，当所述入射窗被接合至所述陶瓷封装件上时，所述入射窗的内侧面倚靠在所述止挡上，所述止挡固定介于所述光阴极和所述MCP的顶面之间的预定距离。

8.根据权利要求6或7所述图像增强管，其特征在于，所述入射窗和所述出射窗使用由铟或共熔物材料制成的密封件而被接合在所述陶瓷封装件上，所述共熔物材料选自于以下：具有52％的铟和48％的锡的InSn、具有80％的金和20％的锡的AuSn、具有88％的金和12％的锗的AuGe以及具有96.5％的锡和3.5％的银的AgSn，上述百分比以质量计。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的图像增强管，其特征在于，所述陶瓷封装件通过陶瓷粒子注射成型、随后烧结而制成。