[发明专利]保护性接合线控制结构

说明书

在所描述实例中，接合线结构(420)沿空腔(195)的外围布置。所述接合线结构(420)从第一衬底(120)延伸，并且经配置以与布置在第二衬底(110)上的中介层(430)接合。扩散屏障(460)布置在所述第一衬底(120)上以用于接触所述中介层(430)。所述扩散屏障(460)经布置以阻止污染物从所述接合线结构(420)迁移并进入所述空腔(195)。

背景技术

微机电系统(MEMS)装置(例如致动器、开关、电动机、传感器、可变电容器、空间光调制器(SLM)及类似微电子装置)可制造在衬底上。为保护此类装置，在制造期间在衬底上形成侧壁以形成可密封空腔，使得空腔内的结构及装置可与外部环境相对隔离。然而，污染物可能会逐渐迁移到空腔中，并且可能会与空腔中包含的装置发生反应或以其它方式干扰所述装置的正常操作。

发明内容

在所描述的实例中，接合线结构沿空腔的外围布置。所述接合线结构从第一衬底延伸，并且经配置以与布置在第二衬底上的中介层接合。扩散屏障布置在所述第一衬底上以用于接触所述中介层。所述扩散屏障经布置以阻止污染物从所述接合线结构迁移并进入所述空腔。

附图说明

图1是例如DMD装置的装置的实例两衬底组合件的横截面图。

图2是展示随距接合线结构的距离而变的铟反应物物种的强度的实例关系的标绘图。

图3是展示跨越MEMS装置中的实例微镜阵列的表面的缺陷密度的实例二维分布的标绘图。

图4A是装置的实例两衬底组合件的一部分的立视图的横截面图。

图4B是包含实例扩散屏障的装置的实例两衬底组合件的横截面立视图。

图5是用以形成实例非挠曲结构扩散屏障表面的实例接合的组合件的第一及第二状态的横截面图。

图6是用以形成实例闭合挠曲结构扩散屏障表面的实例接合的组合件的第一及第二状态的横截面图。

图7是用以形成实例开放挠曲结构扩散屏障表面的实例接合的组合件的第一及第二状态的横截面图。

图8是经布置以接触第二衬底沉积物的实例闭合凹槽扩散屏障结构的横截面图。

图9是经布置以接触第二衬底沉积物的实例开放凹槽扩散屏障结构的横截面图。

图10是经布置以接触第二衬底的实例开放凹槽扩散屏障结构的横截面图。

图11是经布置以接触第二衬底延伸部的实例开放凹槽扩散屏障结构的横截面图。

图12是经布置以接触第二衬底延伸部的实例开放凹槽扩散屏障结构的组合件的第一、第二及第三状态的横截面图。

具体实施方式

在此描述中：(A)术语“部分”可意指整个部分或小于整个部分的一部分；(B)术语“形成在衬底上”可意指经布置使得“形成的”物体由衬底支撑并且在衬底的预先存在表面上方延伸；(C)术语“向内”及“内”可指朝向形成在衬底上的空腔的方向；(D)术语“向外”及“向外”可指远离形成在衬底上的空腔的方向，例如朝向晶片边缘、裸片边缘或锯道的方向；(E)术语“向下”及“下”可指朝向例如硅衬底的第一衬底的方向；及(F)术语“向上”及“上”可指第二衬底，例如玻璃晶片。

微机电系统(MEMS)装置(例如致动器、开关、电动机、传感器、可变电容器、空间光调制器(SLM)及类似的微电子装置)可具有可移动元件。举例来说，SLM装置可包含可移动元件的阵列。每一此类元件可为可个别寻址的光调制器元件，其中响应于输入数据设置“开”或“关”位置。输入数据可为用以命令阵列的光调制器元件投射或阻挡从照射源指向阵列的光的图像信息。