[发明专利]用于显示器应用的层堆叠

权利要求书

1.一种包括高介电常数电介质层的层堆叠结构，包含：

第一电介质层；

第一金属电极，设置于所述第一电介质层上；

层堆叠，设置于所述第一电介质层与所述第一金属电极上，所述层堆叠包含：

第二电介质层，设置于所述第一电介质层与所述第一金属电极上且与所述第一电介质层和所述第一金属电极接触；

高介电常数电介质层，设置于所述第二电介质层上且与所述第二电介质层接触，所述高介电常数电介质层区别于所述第二电介质层，所述高介电常数电介质层包含二氧化锆或二氧化铪，所述高介电常数电介质层与所述第二电介质层于所述第一金属电极上方的位置处接触；及

氮化硅层，设置于所述高介电常数电介质层上且与所述高介电常数电介质层接触；

第二金属电极，保形地设置于所述氮化硅层上且与所述氮化硅层接触；及

第三电介质层，保形地设置于所述第二金属电极上。

2.根据权利要求1所述的层堆叠结构，其中所述第二电介质层包含二氧化硅、氧化铝、二氧化钛或氧化钇(III)。

3.根据权利要求2所述的层堆叠结构，其中所述第二电介质层具有范围为2埃至100埃的厚度。

4.根据权利要求1所述的层堆叠结构，其中所述高介电常数电介质层具有范围为250埃至900埃的厚度。

5.根据权利要求1所述的层堆叠结构，其中所述第一电介质层包含氮化硅或二氧化硅。

6.根据权利要求5所述的层堆叠结构，其中所述第一金属电极包含铝层或钼层。

7.根据权利要求6所述的层堆叠结构，其中所述铝层设置于二个钛层之间。

8.根据权利要求1所述的层堆叠结构，其中所述第一电介质层包含与所述第二电介质层相同的材料。

9.根据权利要求1所述的层堆叠结构，其中所述高介电常数电介质层具有立方或正方晶相晶体结构。

10.根据权利要求1所述的层堆叠结构，其中所述氮化硅层与所述高介电常数电介质层于所述第一金属电极上方的位置处接触。

11.一种将高介电常数电介质层形成于电介质表面和金属表面上方的方法，包含：

沉积第一电介质层于第二电介质层与金属电极上，所述第一电介质层与所述第二电介质层和所述金属电极接触；

沉积高介电常数电介质层于所述第一电介质层上，所述高介电常数电介质层区别于所述第二电介质层，所述高介电常数电介质层包含二氧化锆或二氧化铪，并且所述高介电常数电介质层与所述第一电介质层于所述金属电极上方的位置处接触；及

使所述高介电常数电介质层退火。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一电介质层与所述高介电常数电介质层各自通过等离子体辅助原子层沉积工艺或等离子体辅助化学气相沉积工艺来沉积。