[发明专利]陶瓷、探针引导构件、探针卡及封装检查用插座在审
申请号: | 201880072516.3 | 申请日: | 2018-11-07 |
公开(公告)号: | CN111315709A | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 山岸航;森一政;卫藤俊一 | 申请(专利权)人: | 飞罗得材料技术股份有限公司 |
主分类号: | C04B35/488 | 分类号: | C04B35/488;C04B35/589;G01R1/073;G01R31/26;H01L21/66 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷 探针 引导 构件 封装 检查 插座 | ||
1.一种陶瓷,其以质量%计含有:
Si3N4:20.0~60.0%;
ZrO2:25.0~70.0%;以及,
选自MgO、Y2O3、CeO2、CaO、HfO2、TiO2、Al2O3、SiO2、MoO3、CrO、CoO、ZnO、Ga2O3、Ta2O5、NiO和V2O5中的1种以上:5.0~15.0%。
2.根据权利要求1所述的陶瓷,其以质量%计含有:
选自MgO、Y2O3、CeO2、CaO和HfO2中的1种以上;以及,
选自TiO2、Al2O3、SiO2、MoO3、CrO、CoO、ZnO、Ga2O3、Ta2O5、NiO和V2O5中的1种以上。
3.根据权利要求1或2所述的陶瓷,其中,ZrO2的晶相为:正方晶、正方晶和单斜晶、立方晶、立方晶和正方晶、或者立方晶和单斜晶。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的陶瓷,其中,ZrO2为立方晶。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的陶瓷,其在-50~500℃下的热膨胀系数为3.0×10-6~6.0×10-6/℃,且三点弯曲强度为700MPa以上。
6.一种探针引导构件,其是用于对探针卡的探针进行引导的探针引导构件,所述探针引导构件具备:
使用权利要求1至5中任一项所述的陶瓷而得到的板状的主体部;以及,
所述主体部中用于穿插所述探针的多个贯通孔和/或狭缝。
7.根据权利要求6所述的探针引导构件,其中,所述多个贯通孔的内表面和/或所述狭缝的内表面的表面粗糙度以Ra计为0.25μm以下。
8.一种探针卡,其具备:
多个探针;以及,
权利要求6或7所述的探针引导构件。
9.一种封装检查用插座,其使用权利要求1至5中任一项所述的陶瓷。
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