[发明专利]陶瓷、探针引导构件、探针卡及封装检查用插座在审

专利信息
申请号: 201880072516.3 申请日: 2018-11-07
公开(公告)号: CN111315709A 公开(公告)日: 2020-06-19
发明(设计)人: 山岸航;森一政;卫藤俊一 申请(专利权)人: 飞罗得材料技术股份有限公司
主分类号: C04B35/488 分类号: C04B35/488;C04B35/589;G01R1/073;G01R31/26;H01L21/66
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 陶瓷 探针 引导 构件 封装 检查 插座
【权利要求书】:

1.一种陶瓷,其以质量%计含有:

Si3N4:20.0~60.0%;

ZrO2:25.0~70.0%;以及,

选自MgO、Y2O3、CeO2、CaO、HfO2、TiO2、Al2O3、SiO2、MoO3、CrO、CoO、ZnO、Ga2O3、Ta2O5、NiO和V2O5中的1种以上:5.0~15.0%。

2.根据权利要求1所述的陶瓷,其以质量%计含有:

选自MgO、Y2O3、CeO2、CaO和HfO2中的1种以上;以及,

选自TiO2、Al2O3、SiO2、MoO3、CrO、CoO、ZnO、Ga2O3、Ta2O5、NiO和V2O5中的1种以上。

3.根据权利要求1或2所述的陶瓷,其中,ZrO2的晶相为:正方晶、正方晶和单斜晶、立方晶、立方晶和正方晶、或者立方晶和单斜晶。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的陶瓷,其中,ZrO2为立方晶。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的陶瓷,其在-50~500℃下的热膨胀系数为3.0×10-6~6.0×10-6/℃,且三点弯曲强度为700MPa以上。

6.一种探针引导构件,其是用于对探针卡的探针进行引导的探针引导构件,所述探针引导构件具备:

使用权利要求1至5中任一项所述的陶瓷而得到的板状的主体部;以及,

所述主体部中用于穿插所述探针的多个贯通孔和/或狭缝。

7.根据权利要求6所述的探针引导构件,其中,所述多个贯通孔的内表面和/或所述狭缝的内表面的表面粗糙度以Ra计为0.25μm以下。

8.一种探针卡,其具备:

多个探针;以及,

权利要求6或7所述的探针引导构件。

9.一种封装检查用插座,其使用权利要求1至5中任一项所述的陶瓷。

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