[发明专利]薄型相控阵列有效
申请号: | 201880072787.9 | 申请日: | 2018-11-07 |
公开(公告)号: | CN111566874B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | T·V·席基纳;J·P·黑文;J·E·贝内迪克特;J·E·努菲奥-莫里纳;A·R·索思沃思 | 申请(专利权)人: | 雷神公司 |
主分类号: | H01Q13/10 | 分类号: | H01Q13/10;H01Q13/18;H01Q1/52;H01P1/04;H01P5/02;H05K1/02;H05K3/40 |
代理公司: | 北京市正见永申律师事务所 11497 | 代理人: | 黄小临 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 相控阵 | ||
1.一种阵列天线,包括:
多个薄型阵列,每个薄型阵列包括:具有至少一个法拉第壁的天线元件阵列层;以及
耦接到所述天线元件阵列层的波束形成器电路层,所述波束形成器电路层具有至少一个法拉第壁,其中所述法拉第壁以所述法拉第壁与多个接地平面电接触的方式在该多个接地平面之间延伸,该多个接地平面与所述天线元件阵列层和所述波束形成器电路层中的至少一个相关联,
其中,每个天线元件具有调谐元件组及辐射器,四个天线元件被布置为使得第一天线元件的在辐射器一侧的第一组及第二组调谐元件与第三天线元件的在辐射器另一侧的第一及第二组调谐元件相邻,第二天线元件的在辐射器一侧的第一及第二组调谐元件与第四天线元件的在辐射器另一侧的第一及第二组调谐元件相邻,
其中,所述法拉第壁通过增材制造技术制造。
2.根据权利要求1所述的阵列天线,其中,所述薄型阵列具有小于47mil的总厚度。
3.根据权利要求1所述的阵列天线,其中,所述天线元件阵列层还具有基板、以及施加在所述基板上的导体,所述辐射器通过移除导电材料并印刷导体来形成。
4.根据权利要求3所述的阵列天线,其中,通过形成回填有导电材料的沟槽来创建所述天线元件阵列层的所述至少一个法拉第壁。
5.根据权利要求3所述的阵列天线,其中,所述波束形成器电路层的所述至少一个法拉第壁是通过形成回填有导电材料的沟槽而创建的。
6.根据权利要求3所述的阵列天线,还包括垂直发射件,其延伸穿过天线元件阵列层的所述辐射器和所述波束形成器电路层。
7.根据权利要求6所述的阵列天线,其中,在接合之前,通过在所述辐射器和所述波束形成器电路层上焊接焊盘来创建所述垂直发射件,从而在所述波束形成器电路的表面上出现焊料凸块,钻出中心导体孔,并且采用铜填充所述中心导体孔。
8.根据权利要求6所述的阵列天线,还包括设置在所述波束形成器电路层下方的逻辑电路层。
9.根据权利要求8所述的阵列天线,还包括设置在所述逻辑电路层下方的相移层。
10.根据权利要求9所述的阵列天线,其中,所述垂直发射件延伸穿过所述逻辑电路层和所述相移层。
11.一种制造权利要求1所述的阵列天线的方法,所述方法包括:
在具有天线元件的阵列的一部分中铣削沟槽,并使用增材制造工艺采用导电材料填充所述沟槽以形成法拉第壁,来形成具有至少一个法拉第壁的所述天线元件阵列层;以及
在波束形成器基板中铣削沟槽并使用增材制造工艺采用导电材料填充所述沟槽以形成法拉第壁。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,所述薄型阵列具有小于47mil的总厚度。
13.根据权利要求11所述的方法,其中,所述薄型阵列的所述天线元件阵列层具有基板、施加在所述基板上的导体、以及通过移除导电材料并印刷导体而形成的所述辐射器,所述法拉第壁通过形成采用导电材料回填的沟槽而创建。
14.根据权利要求11所述的方法,还包括提供垂直发射件,其延伸穿过天线元件阵列层的所述辐射器和所述波束形成器电路层。
15.根据权利要求14所述的方法,其中,在接合之前,通过在所述辐射器和所述波束形成器电路层上焊接焊盘形成所述垂直发射件,从而在所述波束形成器电路的表面上出现焊料凸块,钻出中心导体孔,并且采用铜填充所述中心导体孔。
16.根据权利要求14所述的方法,其中,所述薄型阵列包括设置在所述波束形成器电路层下方的逻辑电路层。
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