[发明专利]多图案化的溅射捕集器及制造方法

说明书

本发明公开了一种溅射室颗粒捕集器，所述溅射室颗粒捕集器包括在所述颗粒捕集器的表面的至少一部分上形成的第一图案和第二图案。所述第一图案包括以下项中的一者：具有第一深度并且被第一线和第二线隔开的第一凹痕，以及具有第一高度并且被第一凹槽和第二凹槽隔开的第一脊。所述第二图案在所述第一图案的至少一部分上形成，并且包括以下项中的一者：具有第二深度并且被第三线和第四线隔开的第二凹痕，以及具有第二高度并且被第三凹槽和第四凹槽隔开的第二脊。还公开了一种在溅射室部件上形成颗粒捕集器的方法。

技术领域

本公开涉及在物理气相沉积装置中使用的溅射捕集器和线圈组。更具体地，本公开涉及具有较少颗粒的溅射捕集器及其制造方法。

背景技术

沉积方法用于在基板表面上形成材料膜。沉积方法可用于(例如)半导体器件制造过程中，以形成最终用于制造集成电路和器件的层。沉积方法的一个示例是物理气相沉积(PVD)。PVD方法可包括溅射过程。溅射包括形成待沉积的材料靶，以及将该靶作为邻近强电场的带负电的阴极提供。电场用于电离低压惰性气体并且形成等离子体。通过电场，等离子体中的带正电的离子朝向带负电的溅射靶加速。离子冲击溅射靶，从而射出靶材料。射出的靶材料主要为原子或原子团的形式，并且可用于在溅射过程期间将薄的均匀膜沉积在放置于靶附近的基板上。

希望开发在不引起短路、等离子体电弧、沉积过程中断或颗粒生成的情况下与沉积装置、溅射室系统和/或离子化等离子体沉积系统一起使用的部件。并且期望改进用于沉积装置的部件。

发明内容

这些和其他需求由本公开的各个方面、实施方案和构型来解决。

本公开的实施方案包括一种溅射室部件，该溅射室部件包括颗粒捕集器，该颗粒捕集器包括：在所述颗粒捕集器的表面的至少一部分上形成的第一图案，所述第一图案以具有第一图案线数的重复图案布置，所述第一图案具有第一图案顶部表面，以及在所述第一图案顶部表面的至少一部分上形成的第二图案，所述第二图案以具有第二线数的重复图案布置，所述第二图案具有第二图案顶部表面。第一图案包括以下项中的一者：具有第一深度并且被第一线和第二线隔开的第一凹痕，所述第一线和第二线具有形成第一图案顶部表面的第一线顶部表面和第二线顶部表面，以及具有第一高度并且由第一凹槽和第二凹槽隔开的第一脊，所述第一脊具有形成第一图案顶部表面的第一脊顶部表面。第二图案包括以下项中的一者：具有第二深度并且被第三线和第四线隔开的第二凹痕，所述第三线和第四线具有被构造成形成第二图案顶部表面的第三线顶部表面和第四线顶部表面，以及具有第二高度并且被第三凹槽和第四凹槽隔开的第二脊，所述第二脊具有被构造成形成第二图案顶部表面的第二脊顶部表面。

根据段落[0006]所述的溅射室颗粒捕集器，其中所述第一图案线数为每英寸约15线至约80线，并且所述第二图案线数为每英寸约15线至约80线。

根据段落[0006]或[0007]中任一项所述的溅射室颗粒捕集器，还包括在第一图案和第二图案的至少一部分上形成的第三图案。

根据段落[0006]至[0008]中任一项所述的溅射室颗粒捕集器，还包括在第三图案的至少一部分上形成的至少一个附加图案。

根据段落[0006]至[0009]中任一项所述的溅射室颗粒捕集器，所述第一图案包括具有第一深度并且被第一线和第二线隔开的第一凹痕，并且所述第二图案包括具有第二深度并且被第三线和第四线隔开的第二凹痕，其中：沿第一方向延伸的所述第一线形成沿第二方向将相邻的第一凹痕隔开的侧壁，所述第二方向与所述第一方向成大于0度且小于180度的角度，并且沿所述第二方向延伸的所述第二线形成沿所述第一方向将相邻的第一凹痕隔开的侧壁；并且，沿与所述第一方向平行的方向延伸的所述第三线形成沿与所述第二方向平行的方向将相邻的第二凹痕隔开的侧壁，并且沿与所述第二方向平行的所述方向延伸的所述第四线形成沿与所述第一方向平行的所述方向将相邻的第二凹痕隔开的侧壁。