[发明专利]半导体激光器、驱动控制装置和半导体激光器的控制方法有效

专利信息
申请号: 201880073493.8 申请日: 2018-09-14
公开(公告)号: CN111344917B 公开(公告)日: 2023-09-12
发明(设计)人: 寺门知二;松滨诚;涩谷享司 申请(专利权)人: 株式会社堀场制作所
主分类号: H01S5/062 分类号: H01S5/062;H01S5/12
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 李成必;李雪春
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体激光器 驱动 控制 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体激光器,包括核心层和一对覆盖层,所述核心层具有活性层以及与该活性层光学结合的衍射光栅层,所述一对覆盖层以夹着该核心层的方式配置,在所述半导体激光器中沿着所述核心层形成有导波通道,在所述导波通道的一端设置光导出面,

所述半导体激光器的特征在于,包括:

平坦层,沿着光射出方向与所述衍射光栅层连续设置;以及

温度调节结构,用于将所述平坦层的温度调节为与所述衍射光栅层不同的温度,

所述温度调节结构对所述平坦层进行温度调节,使得从所述光导出面导出的激光的震荡波长以与λ/4位移结构激光器相同的波长为中心在阻带范围内扫描。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,在所述导波通道的另一端设置反射面,所述平坦层的端面成为所述反射面。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,所述温度调节结构具备设置在与所述平坦层对应的部位的温度调节用电极,通过借助该温度调节用电极使电流流入平坦层,能够调节平坦层的温度。

4.根据权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,所述活性层由多个阱层多级连接的多重量子阱结构构成,通过在该量子阱中形成的子带间的光跃迁发出光。

5.根据权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,所述半导体激光器是量子级联激光器。

6.一种驱动控制装置,所述驱动控制装置驱动控制如权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,包括:

温度控制部,通过控制所述温度调节结构来控制所述平坦层的温度;以及

激光器驱动部,向所述核心层注入电流产生激光震荡。

7.一种半导体激光器的控制方法,是如权利要求1所述的半导体激光器的控制方法,其特征在于,通过向所述核心层注入电流并以一定输出产生激光震荡,并且利用所述温度调节结构使平坦层的温度变化,以使输出的激光的波长变化。

8.一种半导体激光器的控制方法,是如权利要求2所述的半导体激光器的控制方法,其特征在于,利用所述温度调节结构将平坦层的温度控制为规定的一定温度,将反射面的相位控制为规定的一定相位。

9.根据权利要求8所述的半导体激光器的控制方法,其特征在于,所述规定的一定相位是λ/4。

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