[发明专利]制造有机半导体元件的方法

说明书

一种技术，其包含：于有机半导体层上形成图案化遮罩；使用所述图案化遮罩以于所述有机半导体层上图案化一个层；使所述图案化遮罩暴露于辐射，所述辐射使得所述图案化遮罩可溶于溶剂；然后，使用所述溶剂来溶解去掉所述图案化遮罩。

背景技术

有机半导体元件典型地包含多层的堆叠体，所述多层的堆叠体包括至少一个有机半导体层。所述多层的图案化典型地使用在沉积下一层之前会被移除的图案化光阻遮罩。剥除剂(stripping agent)在单一步骤制程中被使用以通过化学反应来移除所述图案化光阻遮罩。

发明内容

本发明的发明人已发现，剥除剂在用于移除图案化光阻遮罩时对于有机半导体元件的效能具有负面影响，所述图案化光阻遮罩被用于图案化多层的堆叠体中位在有机半导体层上方的一个层。

特此提供一种方法，其包含：于有机半导体层上形成图案化遮罩；使用所述图案化遮罩以于所述有机半导体层上图案化一个层；使所述图案化遮罩暴露于辐射，所述辐射使得所述图案化遮罩可溶于溶剂；然后，使用所述溶剂溶解去掉所述图案化遮罩。

根据一实施例，所述图案化遮罩可通过与有机胺化合物的化学反应来移除。

根据一实施例，所述有机胺化合物为氨基醇(amino alcohol)。

根据一实施例，所述氨基醇(amino alcohol)为氨基乙醇(amino ethanol)。

根据一实施例，所述图案化遮罩包含交联甲酚甲醛型聚合物。

根据一实施例，所述方法包含：使用所述图案化遮罩来图案化导体层以产生导体图案，所述导体图案界定用于顶栅极晶体管阵列的栅极导体阵列。

根据一实施例，所述方法包含：使用所述图案化遮罩来图案化导体层以产生导体图案，所述导体图案界定导体阵列，各个导体与在所述有机半导体层下方的下方导体图案的相应导体件接触。

附图说明

以下以仅为举例说明的方式详述本发明的实施例，其中：

图1(a)至图1(g)示出根据本发明的实施例的技术的实施例；与

图2示出用于图1(a)至图1(g)的技术的元件架构的一个范例。

具体实施方式

下述实施例为用于生产顶栅极晶体管阵列的范例，但是相同技术同样可应用于其他类型的晶体管或晶体管阵列的生产，或包括多层的堆叠体的其他类型元件的生产，所述多层的堆叠体含有一或多个有机半导体层。

再者，下述实施例为在生产顶栅极晶体管阵列中用于形成栅极导体图案及/或像素导体图案的范例，但是相同技术同样可应用于在任何高于有机半导体的位准上形成其他导体图案。

在一示范实施例中，所述技术用于生产包含用于控制组件的有机晶体管元件(例如，有机薄膜晶体管(OTFT)元件)的有机液晶显示器(OLCD)元件。OTFT包含用于半导体通道的有机半导体(例如，有机聚合物或小分子半导体)。

图1(a)至图1(g)显示工件W始于平台的加工，其中所述工件包含支撑多层的堆叠体的支撑膜2，例如塑料支撑膜，所述多层的堆叠体包括界定用于晶体管阵列的源极及漏极导体的源极-漏极导体图案6，为晶体管阵列提供半导体通道的有机半导体材料(例如，有机聚合物半导体)8的图案化或未图案化的层，与为晶体管阵列提供栅极电介质的一或多个电绝缘电介质层10。

于工件W上，栅极电介质10的上方，沉积一个导体材料的连续层12或包括至少一个导体材料的多个连续层的堆叠体12。例如，一个金属或金属合金层或多个金属/金属合金层的堆叠体可通过例如气相沉积制程，诸如溅镀，来沉积于工件W上。

然后，于工件W上，一或多个导体层12的上方形成图案化遮罩14。图案化遮罩14可例如通过光刻技术来形成。