[发明专利]用于控制从熔融栅格接收在熔融系统的贮存器中的熔融材料的液位的方法

权利要求书

1.一种用于控制从熔融栅格接收在熔融系统的贮存器中的熔融材料的液位的方法，所述方法包括：

在第一时间从所述贮存器中的传感器接收所述熔融材料的第一液位；

在所述第一时间之后的第二时间从所述传感器接收所述熔融材料的第二液位；

从所述第一液位和所述第二液位确定所述熔融材料的熔融填充速率；

将所述熔融材料的所述熔融填充速率与熔融填充速率阈值进行比较，以确定在所述熔融填充速率与所述熔融填充速率阈值之间的差值；

至少基于所述熔融填充速率来确定所述熔融栅格的温度设定点；以及

调整所述熔融栅格的操作温度以匹配所述温度设定点。

2.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述熔融填充速率包括确定所述熔融填充速率为负。

3.根据权利要求2所述的方法，其中将所述熔融材料的所述熔融填充速率与所述熔融填充速率阈值进行比较包括确定所述熔融材料的所述熔融填充速率小于所述熔融填充速率阈值，所述方法还包括：

将所述熔融材料的所述第二液位与所期望的操作水平进行比较。

4.根据权利要求3所述的方法，其中：

将所述熔融材料的所述第二液位与所期望的操作水平进行比较包括确定所述第二液位大于所期望的操作水平；以及

确定所述熔融栅格的所述温度设定点包括基于所述熔融材料的所述第二液位和所述熔融材料从所述第一液位到所述第二液位的所述熔融填充速率来计算所述熔融栅格的较低温度设定点。

5.根据权利要求3所述的方法，其中：

将所述熔融材料的所述第二液位与所期望的操作水平进行比较包括确定所述第二液位小于所期望的操作水平；以及

确定所述熔融栅格的所述温度设定点包括基于所述熔融材料的所述第二液位和所述熔融材料从所述第一液位到所述第二液位的所述熔融填充速率来计算所述熔融栅格的较高温度设定点。

6.根据权利要求2所述的方法，其中：

将所述熔融材料的所述熔融填充速率与所述熔融填充速率阈值进行比较包括确定所述熔融材料的所述熔融填充速率大于所述熔融填充速率阈值；以及

确定所述熔融栅格的所述温度设定点包括基于所述熔融材料的所述第二液位和所述熔融材料从所述第一液位到所述第二液位的所述熔融填充速率来计算所述熔融栅格的较高温度设定点。

7.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述熔融填充速率包括确定所述熔融填充速率为正。

8.根据权利要求7所述的方法，其中将所述熔融材料的所述熔融填充速率与所述熔融填充速率阈值进行比较包括确定所述熔融材料的所述熔融填充速率小于所述熔融填充速率阈值，所述方法还包括：

将所述熔融材料的所述第二液位与所期望的操作水平进行比较。

9.根据权利要求8所述的方法，其中：

将所述熔融材料的所述第二液位与所期望的操作水平进行比较包括确定所述第二液位大于所期望的操作水平；以及

确定所述熔融栅格的所述温度设定点包括基于所述熔融材料的所述第二液位和所述熔融材料从所述第一液位到所述第二液位的所述熔融填充速率来计算所述熔融栅格的较低温度设定点。

10.根据权利要求8所述的方法，其中：

将所述熔融材料的所述第二液位与所期望的操作水平进行比较包括确定所述第二液位小于所期望的操作水平；以及

确定所述熔融栅格的所述温度设定点包括基于所述熔融材料的所述第二液位和所述熔融材料从所述第一液位到所述第二液位的所述熔融填充速率来计算所述熔融栅格的较高温度设定点。