[发明专利]制造太阳能电池的方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的制造方法，该方法包括：

使用BO源、A掺杂的BO源、或者A_xO_y源和BO源在基材上形成与基材适形的无机晶种层；和

将有机卤化物供给供给到所述无机晶种层上，

其中，A表示碱金属，B表示二价金属阳离子，O表示氧。

2.如权利要求1所述的方法，其中，

所述源是靶；并且

所述无机晶种层的形成通过溅射完成。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述无机晶种层的形成通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)来完成。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述无机晶种层的厚度为10nm至200nm。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述有机卤化物是A’X组成，其中A’表示+1单价有机铵或有机脒鎓，X表示卤素离子。

6.如权利要求1所述的方法，其中，通过蒸发法、化学气相沉积(CVD)法、物理气相沉积(PVD)法和气相退火法中的任何一种来完成有机卤化物的供给。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述有机卤化物的供给在25℃至200℃的基材温度进行120分钟以下的时间。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述有机卤化物的供给包括供给所述有机卤化物并且通过与所述无机晶种层反应来将所述有机卤化物转化为钙钛矿吸收层。

9.如权利要求1所述的方法，其进一步包括在供给所述有机卤化物后将所述有机卤化物转化为钙钛矿吸收层。

10.如权利要求8或9所述的方法，其中，钙钛矿吸收层的厚度为50nm至1,000nm。

11.如权利要求10所述的方法，其中，钙钛矿吸收层包含FA_1-xCs_xPbBr_yI_3-y，其中0≤x≤1，0≤y≤3。

12.如权利要求1所述的方法，其进一步包括在供给所述有机卤化物之后进行后热处理。

13.如权利要求12所述的方法，其中，所述后热处理是溶剂处理并在80℃至200℃的温度进行120分钟以下的时间。

14.如权利要求8或9所述的方法，其进一步包括：

在形成所述无机晶种层之前形成第一导电型电荷输送层；和

在供给所述有机卤化物或将所述有机卤化物转化为钙钛矿吸收层后形成第二导电型电荷输送层。

15.如权利要求1所述的方法，其中，所述太阳能电池包括：

用作下部太阳能电池的第一太阳能电池；和

用作上部太阳能电池的钙钛矿太阳能电池，并且

第一太阳能电池的带隙小于所述钙钛矿太阳能电池的带隙。

16.如权利要求1所述的方法，其中，

所述太阳能电池包括用作下部太阳能电池的硅太阳能电池，和

用作上部太阳能电池的钙钛矿太阳能电池，并且

所述硅太阳能电池包括基材，

位于所述基材的第一表面上的第一导电层，和

位于所述基材的第二表面上的第二导电层。

17.如权利要求16所述的方法，其中，所述硅太阳能电池包括：

位于所述基材和第一导电层之间的第一钝化层；和

位于所述基材和第二导电层之间的第二钝化层。