[发明专利]用于多芯片模块的非嵌入式硅桥芯片

权利要求书

1.一种方法，包括：

将两个或更多个半导体芯片电连接到硅桥芯片；以及

将所述半导体芯片电连接到衬底结构，其中，所述桥接芯片延伸到所述衬底结构中的凹部中，使得所述桥接芯片的顶面与所述衬底结构的顶面基本上齐平。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述衬底结构的顶面和两个或更多个的半导体芯片的底面安装盖；以及

在所述衬底结构的底面上形成多个焊料凸块。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述桥接芯片的底面和位于所述凹部的底部的所述衬底结构的表面之间放置粘性材料，其中所述粘性材料将所述桥接芯片物理地连接到所述衬底结构。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底结构中的所述凹部延伸穿过所述衬底结构的整个厚度。

5.根据权利要求3所述的方法，还包括：

形成与所述桥接芯片的底面直接接触的塞子，以使得所述塞子基本上填充位于所述桥接芯片下面的所述凹部的一部分，所述塞子机械地保持所述桥接芯片，其中所述塞子的底面基本上与所述衬底结构的底面齐平。

6.根据权利要求3所述的方法，还包括：

将所述半导体芯片电连接到所述衬底结构，使得所述凹部直接在所述两个或更多个半导体芯片的一部分的下方；

将所述桥接芯片电连接到所述半导体芯片，使得所述桥接芯片的顶面与所述衬底结构的顶面基本上齐平；以及

形成与所述桥接芯片的底面直接接触的塞子，使得所述塞子基本上填满所述桥接芯片下面的所述凹部的一部分，所述塞子机械地保持所述桥接芯片，其中所述塞子的底面基本上与所述衬底结构的底面齐平。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，每个所述半导体芯片包括硅衬底，并且所述衬底结构包括层压衬底、陶瓷衬底或印刷电路板。

8.根据权利要求1所述的方法，包括：

在所述半导体芯片的内顶面上放置第一多个焊料凸块，并且在所述半导体芯片的外顶面上放置第二多个焊料凸块；

其中，将所述半导体芯片电连接至所述桥接芯片包括：使用所述第一多个焊料凸块将所述半导体芯片电连接至所述桥接芯片；

其中，将所述半导体芯片电连接到所述衬底结构包括：使用所述第二多个焊料凸块将所述半导体芯片电连接到所述衬底结构；以及，

其中，所述方法包括将盖子附接到所述衬底结构的所述顶面和所述半导体芯片的底面；以及

在所述衬底结构的底面上形成第三多个焊料凸块。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第二多个焊料凸块中的焊料凸块大于所述第一多个焊料凸块中的焊料凸块。

10.一种半导体结构，包括：

两个或多个电连接到衬底结构的半导体芯片；以及

电连接所述两个或更多半导体芯片的硅桥芯片，其中所述硅桥芯片在所述衬底结构的区域内延伸，使得所述硅桥芯片的顶面与所述衬底结构的顶面基本上平齐。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，还包括：

盖，其安装到所述衬底结构的所述顶面和所述两个或更多个半导体芯片的底面；以及

在所述衬底结构的底面上的多个焊料凸块。

12.根据权利要求10所述的半导体结构，还包括：

在所述硅桥芯片的底面和位于所述硅桥芯片正下方的所述衬底结构的顶面之间的粘性材料，其中所述粘性材料将所述硅桥芯片物理地接合到衬底结构。

13.根据权利要求10所述的半导体结构，还包括：

与所述硅桥芯片的底面直接接触的塞子，使得所述塞子基本上填充位于所述硅桥芯片下方的所述衬底结构的一部分，所述塞子机械地保持所述硅桥芯片，其中所述塞子的底面是基本上与所述衬底结构的底面齐平。