[发明专利]对真空等离子体处理的RF功率递送

权利要求书

1.一种从RF供应发生器向至少一个真空等离子体处理模块递送RF功率的方法，包括通过以下方式来使所述RF供应发生器的输出阻抗与所述真空等离子体处理模块的输入阻抗进行时变匹配：

a）在所述真空等离子体处理模块中提供阻抗变换网络，并且由所述阻抗变换网络来实行所述真空等离子体处理模块的所述输入阻抗到对所述阻抗变换网络的输入阻抗的时不变阻抗变换；

b）由在操作上连接到所述阻抗变换网络的匹配盒，来实行所述RF供应发生器的所述输出阻抗与所述阻抗变换网络的所述输入阻抗的时变匹配；

c）通过中空导体来提供所述阻抗变换网络的至少一个电感性元件的至少一部分，并且使冷却介质流经所述中空导体并且流经所述真空等离子体处理模块的一部分的冷却布置，所述部分不是所述阻抗变换网络的一部分。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：由所述阻抗变换网络来实行电流补偿，以便向在所述真空等离子体处理模块中实行的真空等离子体过程递送电流，所述电流大于从所述RF供应发生器供应到所述阻抗变换网络的供应电流。

3.根据权利要求1所述的方法，构造所述阻抗变换网络包括：提供全部为分立和无源元件的电感性和电容性元件。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，包括：经由共同的中央匹配盒，从所述RF供应发生器向也具有所述阻抗变换网络的至少一个另外的真空等离子体处理模块递送RF功率。

5.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，包括：从所述RF供应发生器连续地向所述一个真空等离子体处理模块、并且向也包括所述阻抗变换网络的另外的真空等离子体处理模块递送RF功率，并且通过单个中央匹配盒，实行所述RF供应发生器的所述输出阻抗与所述至少两个真空等离子体处理模块的至少两个阻抗变换网络的相应输入阻抗的至少时变匹配。

6.根据权利要求4所述的方法，包括：由相应的至少两个阻抗变换网络中的每一个来实行相应真空等离子体处理模块的相应输入阻抗到对所述相应阻抗变换网络的相应期望输入阻抗的相应时不变阻抗变换，所述期望输入阻抗的绝对值的时不变分量处于期望范围内，或者可忽略地不同，或者是相等的。

7.根据权利要求4所述的方法，其中所述至少两个真空等离子体处理模块是不同的。

8.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，所述至少一个真空等离子体处理模块是溅射模块、蚀刻模块、PECVD层沉积模块、阴极电弧蒸发模块、等离子体蒸发模块、电子束蒸发模块之一。

9.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，包括将用于等离子体处理的电极连接到所述阻抗变换网络的多于一个输出。

10.根据权利要求9所述的方法，包括选择在所述多于一个输出处的RF电流的分布。

11.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，其用于制造经真空等离子体处理的工件。

12.一种RF真空等离子体处理模块，其包括：在RF供应输入与等离子体放电电极和RF偏置电极中的至少一个之间的时不变阻抗变换网络，以用于所述真空等离子体处理，所述时不变阻抗变换网络包括至少一个电感性元件，其至少一部分被实现为中空导体，所述中空导体是可流动连接的或被流动连接到用于冷却流体的流动来源装置和流动排出装置中的至少一个，所述中空导体与所述真空等离子体处理模块的一部分的冷却布置处于冷却流体流动连通中，所述部分不是所述时不变阻抗变换网络的一部分。

13.根据权利要求12所述的RF真空等离子体处理模块，其中所述时不变阻抗变换网络被构造成：向所述电极供应RF电流，所述RF电流大于被输入到所述时不变阻抗变换网络的RF供应电流。