[发明专利]制造离子迁移过滤器的方法

权利要求书

1.一种制造用于光谱系统的离子过滤器的方法，所述方法包括：

提供导电材料的片材；

通过以下在所述片材上限定多个离子过滤器：

在所述片材上为每一个离子过滤器形成电极层，每一个电极层包括：隔离通道和至少一个离子通道，所述至少一个离子通道位于第一电极部与第二电极部之间，并且所述隔离通道包围所述至少一个离子通道以及所述第一电极部和所述第二电极部，其中通过利用所述隔离通道包围所述至少一个离子通道，降低了在分离所述多个离子过滤器时污染物或碎片进入到被所述隔离通道包围的所述至少一个离子通道的风险；以及

在每一个电极层上形成支撑层，其中每一个支撑层包括孔，所述孔与所述至少一个离子通道至少部分地对准，由此在使用所述离子过滤器时，离子穿过所述至少一个离子通道和所述孔；以及

将所述多个离子过滤器分离。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包括：通过蚀刻所述至少一个离子通道和所述隔离通道来形成每一个电极层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在每一个电极层上形成支撑层包括：在蚀刻所述至少一个离子通道和所述隔离通道之前，将所述支撑层与每一个电极层键合。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，形成所述支撑层包括：提供框架形式的支撑层。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在每一个电极层上形成支撑层包括：在蚀刻所述至少一个离子通道和所述隔离通道之后，将所述支撑层与每一个电极层键合。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，每一个电极层包括具有涂层的导电层，并且所述形成每一个电极层包括：蚀刻所述至少一个离子通道和所述隔离通道，所述蚀刻仅穿过所述导电层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，每一个支撑层包括具有涂层的衬底，并且键合所述支撑层包括：将所述支撑层上的涂层与所述电极层上的涂层键合在一起，以在所述支撑层与所述电极层之间形成绝缘层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述支撑层包括：在将每一个支撑层与每一个电极层键合之后，蚀刻所述孔，所述蚀刻穿过所述衬底并随后穿过所述绝缘层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，形成所述支撑层包括：在将每一个支撑层与每一个导电层键合之后并且在蚀刻所述孔之前，翻转所述片材。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述衬底包括硅。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其特征在于，所述导电材料的片材包括掺杂的硅。

12.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其特征在于，包括形成支撑层，所述支撑层具有与所述隔离通道对准的孔，由此，所述离子过滤器在使用时，离子流过所述隔离通道和所述孔。

13.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其特征在于，包括：形成覆盖了所述隔离通道的支撑层，由此，所述离子过滤器在使用时，离子不能流过所述隔离通道。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，包括形成支撑层，所述支撑层具有与所述至少一个离子通道中的所有离子通道对准的孔。

15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，包括：形成具有电极的交叉指型阵列的电极层，以及形成覆盖所述交叉指型阵列中的所述电极的相对的端部的支撑层。

16.一种离子过滤器，所述离子过滤器是根据权利要求1至15中任一项所述的方法制造的。