[发明专利]用于样品的光致发光测量的方法

说明书

本发明涉及一种用于样品(10)的光致发光测量的方法，该样品包括通过轮廓C连接的前表面(11)和后表面(12)，样品(10)经由该样品的后表面(12)搁置在活性基板(20)的接纳表面(21)上，样品(10)包括第一区域(13)，该第一区域(13)部分地由轮廓C界定，并且发射任何点处的强度都低于样品(10)的光致发光信号的平均强度的光致发光信号，该强度被称为第一强度，该平均强度被称为参考强度，活性基板(20)发射强度至少等于参考强度的光致发光信号，该强度被称为辅助强度，活性基板(20)包括边缘B，该边缘B与轮廓C分隔重叠距离，并且与所述轮廓C一起界定活性基板(20)的周边部分(24)。

描述

技术领域

本发明涉及一种光致发光测量方法。特别地，本发明涉及一种用于样品(特别是光伏电池)的光致发光测量的方法，从而使得能够明确地检测出所测试的样品的边缘。

现有技术

光致发光测量是探测材料并且尤其是半导体材料的电子和/或光学特性的选择技术。

实际上，光致发光测量通过激光辐射实施激发材料，以促进所述材料的电子从其基能级(也称为“平衡态”)到高能级的过渡。

因此，被促进的电子根据辐射复合路径或非辐射复合路径返回其平衡态，这取决于所测试的材料的质量。在这方面，本领域技术人员将在说明书末尾引用的文献[1]中找到对在光致发光测量期间发生的辐射复合模式和非辐射复合模式的研究。

特别地，通常与缺陷的存在或俄歇(Auger)型现象相关联的非辐射复合以牺牲辐射复合为代价发生。

辐射复合率(随时间测量的辐射符合率的水平或强度表示光致发光信号)使得能够表征所测试材料的质量。特别地，光致发光测量使得能够检测和/或定位可能存在于所测试的材料中的缺陷。

根据由Trupke等人开发并在说明书末尾所引用的文献[2]中描述的特定空间分辨光致发光技术，还有可能对所测试的样品进行光致发光映射，特别是定位所述样品的缺陷。

在这方面，图1以灰度级表示硅样品的光致发光映射，该硅样品承载在基板上并且包括用非晶硅钝化的表面。

较亮区比暗区具有更强的辐射复合率。相反，暗区比亮区具有更强的非辐射复合率。因此，亮区是低缺陷密度的特征区，而暗区则指示明显的缺陷密度。

在暗区中，周边部分或样品边缘特别地引起注意。

实际上，用于制造这种样品(特别是光伏电池)的过程涉及特别具有侵蚀性的步骤，每个步骤都会导致所述样品的边缘退化，随着时间的流逝，该退化会聚集明显的缺陷密度。

这种明显的缺陷聚集导致非常低的光致发光水平，由此无法将样品边缘与上面用于承载该样品的基板进行区分。换句话说，样品边缘和基板之间的光致发光强度对比度不足以定位所述边缘(图2)。

因此，难以或甚至无法量化用于制造样品的过程的不同步骤对边缘退化的相对贡献。

此外，未检测到样品边缘，特别是未检测到光伏电池，限制了对所述样品的电子活性表面或光学活性表面的分析。

因此，本发明的一个目的是提供一种光致发光测量方法，通过该方法可以识别出所测量的样品的边缘。

发明公开

本发明的目的通过一种用于样品的光致发光测量的方法来解决，该样品包括通过轮廓连接的两个表面，这两个表面分别称为前表面和后表面，该样品以其后表面承载在基板的容纳表面上，该基板被称为活性基板，

所述样品包括至少一个第一区域，所述至少一个第一区域部分地由所述轮廓界定，并且发射任何点处的强度都低于所述样品的光致发光信号的平均强度的光致发光信号，该强度称为第一强度，所述平均强度称为参考强度，