[发明专利]纤芯共掺杂了两种或更多种卤素的低损耗光纤

权利要求书

1.一种单模光纤，其包括：

纤芯，其具有α小于5的分级折射率分布；和

包括凹陷包层区域和外包层区域的包层，所述外包层区域接触和围绕了所述凹陷包层区域；

其中，相比于外包层区域，纤芯的相对折射率大于+0.25％，其中，纤芯包括共掺杂了第一卤素和第二卤素的二氧化硅，其中，纤芯内的所述第一卤素和所述第二卤素的浓度是不均匀的，使得：

(a)纤芯内的第一卤素的最大浓度与最小浓度之比是至少3，

(b)纤芯内的第二卤素的最大浓度与最小浓度之比是至少3，

(c)随着相对于纤芯的中心的距离增加，一种卤素在纤芯内的浓度增加，

(d)随着相对于纤芯的中心的距离增加，另一种卤素在纤芯内的浓度减小，

其中，光纤具有1550nm波长处小于0.17dB/km的衰减。

2.如权利要求1所述的单模光纤，其中，所述第一卤素是Cl或Br，以及所述第二卤素是F。

3.一种单模光纤，其包括：

纤芯，其具有α小于5的分级折射率分布；和

围绕纤芯的包层，所述包层包括凹槽以及包括凹槽和外包层区域；

其中，相比于纯二氧化硅，纤芯的相对折射率大于+0.05％，其中，纤芯包括共掺杂了氯和氟的二氧化硅，其中，纤芯中的氟和氯的浓度是不均匀的，使得：

(a)纤芯中的最大氯浓度与最小氯浓度之差是至少0.4重量％，

(b)纤芯中的最大氟浓度与最小氟浓度之差是至少0.45重量％，

(c)纤芯中的最大氯量是至少0.7重量％，以及

(d)纤芯中的最大氟量是至少0.75重量％，

其中，光纤具有1550nm波长处小于0.17dB/km的衰减。

4.如权利要求1-3中任一项所述的光纤，其中，所述包层包括凹陷区域，它的相对折射率低于所述纤芯的最大相对折射率。

5.如权利要求2或3所述的光纤，其中，纤芯中的氯的最大浓度与最小浓度之比是至少3。

6.如权利要求2或3所述的光纤，其中，纤芯中的氟的最大浓度与最小浓度之比是至少5。

7.如权利要求2或3所述的光纤，其中，在纤芯的中心处，氯与氟的浓度比是3至1000。

8.如权利要求2或3所述的光纤，其中，纤芯与外包层区域中的相对最大折射率的相对折射率之差是0.2％至0.6％。

9.如权利要求1-3中任一项所述的光纤，其中，所述光纤的特征还在于小于1530nm的22m光缆截止波长。

10.如权利要求1-3中任一项所述的光纤，其中，所述光纤的特征还在于小于1260nm的22m光缆截止波长。

11.如权利要求1-3中任一项所述的光纤，其中，所述光纤具有1550nm波长处小于0.17dB/km的衰减。

12.一种制造纤芯坯棒的方法，其包括：

(i)将二氧化硅烟炱预制件暴露于以下至少一种情况：

氯掺杂剂前体、溴掺杂剂前体或其组合，所处的温度是900℃至1350℃，其中，氯掺杂剂前体或溴掺杂剂前体的分压大于0.5atm，从而形成Cl和/或Br掺杂的烟炱预制件；

(ii)将Cl和/或Br掺杂的烟炱预制件暴露于氟掺杂剂前体，所处的温度是1275℃至1450℃，其中，氟掺杂剂前体的分压大于0.1atm，从而形成共掺杂的经过掺杂的预制件；

(iii)将共掺杂的预制件暴露于高于1400℃的温度，从而使得共掺杂的预制件完全烧结并形成经烧结的纤芯预制件。

13.如权利要求12所述的方法，其还对经过烧结的纤芯预制件进行再拉制从而形成纤芯坯棒。