[发明专利]自限制生长

权利要求书

1.一种方法，其包含：

提供衬底，所述衬底包含结构；

将所述衬底在不高于400℃的第一衬底温度下暴露于还原剂气体中，以在所述结构上形成保形还原剂层；

将所述衬底的所述温度提高到至少500℃的第二衬底温度；以及

在所述第二衬底温度下，将所述保形还原剂层暴露于金属前体中以将所述保形还原剂层转换为所述金属。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一衬底温度不高于350℃。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一衬底温度不高于300℃。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述还原剂气体是含硅气体。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述还原剂气体是含硼气体。

6.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述还原剂气体是含硅气体和含硼气体的混合物。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述还原剂气体是硅烷(SiH₄)和乙硼烷(B₂H₆)的混合物。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中将所述保形还原剂层暴露于金属前体包括将所述保形还原剂层暴露于氢气(H₂)。

9.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中将所述金属前体与H₂一起提供。

10.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中将所述保形还原剂层暴露于金属前体以将所述还原剂层转换为金属包括将所述保形还原剂层暴露于交替的H₂和所述金属前体的脉冲。

11.根据权利要求1-10中任一项所述的方法，其中所述金属前体是氯化钨化合物，且所述金属为钨。

12.根据权利要求1-10中任一项所述的方法，其中所述金属前体是含钼化合物，且所述金属为钼。

13.根据权利要求1-12中任一项所述的方法，其中所述保形还原剂层直接形成于氧化物表面上。

14.根据权利要求1-12中任一项所述的方法，其中所述保形还原剂层直接形成于氮化物表面上。

15.根据权利要求1-14中任一项所述的方法，其中所述保形还原剂层的厚度介于约10与50埃之间。

16.根据权利要求6或7所述的方法，其中在所述还原剂层中硼的浓度随着厚度增加而降低。

17.根据权利要求6或7所述的方法，其中所述混合物中硅：硼的比例至少为10:1。

18.一种方法，其包含：

提供衬底，所述衬底包含结构；

将所述衬底在不高于400℃的第一衬底温度下暴露于含硅气体和含硼气体的混合物，以在所述结构上形成保形还原剂层；

将所述衬底的温度提高至至少500℃的第二衬底温度；以及

在所述第二衬底温度下，将所述保形还原剂层暴露于含钨或含钼的前体中，以将所述还原剂层转换为钨或钼。

19.根据权利要求18所述的方法，其中所述混合物中硅：硼的比例至少为10:1。