[发明专利]具有改善的可见光吸收率的氧化物半导体光电晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种氧化物半导体光电晶体管，包括：

基底基板；

布置在所述基底基板上的栅电极；

布置在所述栅电极上的栅绝缘层；

布置在所述栅绝缘层上的氧化物半导体层；

布置在所述氧化物半导体层上的源电极和漏电极；以及

布置在所述氧化物半导体层的至少一个面上的基于缺陷氧化物的光学吸收层，

其中所述基于缺陷氧化物的光学吸收层布置在所述氧化物半导体层的顶面上，其中所述基于缺陷氧化物的光学吸收层包含配位不足的氧物质与由于溶剂没有被完全蒸发而残余的有机材料。

2.一种氧化物半导体光电晶体管，包括：

基底基板；

布置在所述基底基板上的栅电极；

布置在所述栅电极上的栅绝缘层；

布置在所述栅绝缘层上的氧化物半导体层；

布置在所述氧化物半导体层上的源电极和漏电极；以及

限定在所述氧化物半导体层的至少一个面的基于缺陷氧化物的光学吸收部，

其中所述基于缺陷氧化物的光学吸收部布置在所述氧化物半导体层的底表面，其中所述基于缺陷氧化物的光学吸收部具有赋予其的粗糙度。

3.根据权利要求1至2中任一项所述的氧化物半导体光电晶体管，其中所述氧化物半导体层由InGaZnO制成。

4.一种用于制造氧化物半导体光电晶体管的方法，所述方法包括：

在基底基板上形成栅电极；

在所述栅电极上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成氧化物半导体层；

在所述氧化物半导体层上直接形成接收可见光的基于缺陷氧化物的光学吸收层；以及

在所述基于缺陷氧化物的光学吸收层上形成源电极和漏电极，

其中，形成所述基于缺陷氧化物的光学吸收层包括对包含In硝酸盐(In(NO₃)₃)前体、Ga硝酸盐(Ga(NO₃)_3.xH₂O)前体和Zn硝酸盐(Zn(NO₃)₂.6H₂O)前体的溶液施加在150℃至400℃温度范围内的热处理以形成配位不足的氧物质与由于溶剂没有被完全蒸发而残余的有机材料。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述溶液具有0.1M至0.25M的浓度。

6.一种用于制造氧化物半导体光电晶体管的方法，所述方法包括：

在基底基板上形成栅电极；

在所述栅电极上形成栅绝缘层；

蚀刻所述栅绝缘层的表面以赋予其粗糙度；

在所述栅绝缘层的赋予粗糙度的表面上形成氧化物半导体层，使得所述粗糙度被转移至所述氧化物半导体层的底表面以形成基于缺陷氧化物的光学吸收部；以及

在所述氧化物半导体层上形成源电极和漏电极。

7.根据权利要求4或6中任一项所述的方法，其中，所述氧化物半导体层由InGaZnO制成。