[发明专利]用于在芯片极减小单元面积并改进单元布局的金属零电源接地短截线布线在审
申请号: | 201880075186.3 | 申请日: | 2018-09-24 |
公开(公告)号: | CN111373407A | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 理查德·T·舒尔茨 | 申请(专利权)人: | 超威半导体公司 |
主分类号: | G06F30/392 | 分类号: | G06F30/392;H01L23/528;H01L27/02 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;张静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 芯片 减小 单元 面积 改进 布局 金属 电源 接地 短截线 布线 | ||
1.一种单元布置,其包括:
第一金属层中的一个或多个输入节点;
所述第一金属层中的一个或多个输出节点;以及
所述第一金属层下方的第二金属层中的电源接线柱,其中所述电源接线柱不包括到任何上金属层的通孔。
2.如权利要求1所述的单元布置,其中所述第二金属层中的所述电源接线柱进行布线,以到达所述单元的边界边缘。
3.如权利要求1所述的单元布置,其中所述第二金属层中的所述电源接线柱通过邻接连接到相邻单元的电源接线柱。
4.如权利要求1所述的单元布置,其还包括小于所述一个或多个输入节点、所述一个或多个输出节点以及所述电源和接地连接的总和的数量的金属栅极。
5.如权利要求1所述的单元布置,其中所述电源接线柱位于相邻单元中的全局电源连接的轨上方或下方的所述第二金属层的轨中,其中所述全局连接是用所述第二金属层上方的第三金属层形成的。
6.如权利要求1所述的单元布置,其还包括所述第二金属层中的接地参考接线柱,其中所述接地参考接线柱不包括到任何上金属层的通孔。
7.如权利要求6所述的单元布置,其中所述第二金属层中的所述接地参考接线柱进行布线,以到达所述单元的边界边缘。
8.如权利要求1所述的单元布置,其中所述第二金属层是制造方法的最低金属层。
9.一种方法,其包括:
形成单元的第一金属层中的一个或多个输入节点;
形成所述单元的所述第一金属层中的一个或多个输出节点;以及
形成所述第一金属层下方的第二金属层中的电源接线柱,其中所述电源接线柱不包括到任何上金属层的通孔。
10.如权利要求9所述的方法,其还包括:对所述第二金属层中的所述电源接线柱进行布线,以到达所述单元的边界边缘。
11.如权利要求9所述的方法,其还包括:通过邻接将所述第二金属层中的所述电源接线柱连接到相邻单元的电源接线柱。
12.如权利要求9所述的方法,将小于所述一个或多个输入节点、所述一个或多个输出节点以及所述电源和接地连接的总和的数量的金属栅极布局在所述单元中。
13.如权利要求9所述的方法,其还包括:在相邻单元中的全局电源连接的轨上方或下方的所述第二金属层的轨中形成所述电源接线柱,其中所述全局连接是用所述第二金属层上方的第三金属层形成的。
14.如权利要求9所述的方法,其还包括形成所述第二金属层中的接地参考接线柱,其中所述接地参考接线柱不包括到任何上金属层的通孔。
15.如权利要求14所述的方法,其还包括:对所述第二金属层中的所述接地参考接线柱进行布线,以到达所述单元的边界边缘。
16.如权利要求9所述的方法,其中所述第二金属层是制造方法的最低金属层。
17.一种存储多个指令的非暂时性计算机可读存储介质,所述指令在被执行时生成一种单元的集成电路布置,所述单元的集成电路布置包括:
第一金属层中的一个或多个输入节点;
所述第一金属层中的一个或多个输出节点;以及
所述第一金属层下方的第二金属层中的电源接线柱,其中所述电源接线柱不包括到任何上金属层的通孔。
18.如权利要求17所述的非暂时性计算机可读存储介质,其中所述第二金属层中的所述电源接线柱进行布线,以到达所述单元的边界边缘。
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