[发明专利]多量子位系统的频率调谐

权利要求书

1.一种形成多量子位芯片的方法，所述方法包括：

在芯片上形成多个量子位，其中每个量子位包括约瑟夫逊结；

确定所述芯片上的每个量子位的初始频率；

基于每个量子位的所述初始频率，确定所述芯片的每个量子位的期望频率；以及

对所述多个量子位中的第一量子位的第一约瑟夫逊结进行退火，其中对所述第一约瑟夫逊结进行退火使得所述第一量子位从第一频率改变为大约所述期望的频率。

2.根据权利要求1所述的方法，其中对所述第一约瑟夫逊结进行退火包括对所述第一约瑟夫逊结进行局部激光退火。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中对所述第一约瑟夫逊结进行退火使得所述第一频率增大。

4.根据权利要求3的方法，进一步包括对所述多个量子位中的第二量子位的第二约瑟夫逊结进行退火，其中对所述第二约瑟夫逊结进行退火致使得所述第二量子位的第二频率降低到第二期望频率。

5.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中对所述第一约瑟夫逊结进行退火使得所述第一频率降低。

6.根据权利要求1所述的方法，其中用于对所述第一约瑟夫逊结进行退火的参数基于将退火参数与频移相关的历史退火数据库。

7.一种形成多量子位芯片的方法，所述方法包括：

确定所述芯片上的所述多个量子位中的每个量子位的期望频率；

在所述芯片上形成所述多个量子位，其中每个量子位包括约瑟夫逊结；

确定所述多个量子位中的第一量子位的第一频率；以及

对所述第一量子位的所述约瑟夫逊结进行退火，其中对所述约瑟夫逊结进行退火使得所述量子位从所述第一频率改变为大约所述期望频率。

8.根据权利要求7所述的方法，其中对所述第一约瑟夫逊结进行退火包括对所述第一约瑟夫逊结进行局部激光退火。

9.根据权利要求7所述的方法，其中对所述第一约瑟夫逊结进行退火使得所述第一频率增加。

10.根据权利要求9的方法，进一步包括对所述多个量子位中的第二量子位的第二约瑟夫逊结进行退火，其中对所述第二约瑟夫逊结进行退火使得所述第二量子位的第二频率降低到第二期望频率。

11.根据权利要求7所述的方法，其中对所述第一约瑟夫逊结进行退火使得所述第一频率降低。

12.根据权利要求7所述的方法，其中形成所述多个量子位是基于所述多个量子位中的每个量子位的所述期望频率，并且其中所述第一量子位的尺寸与所述多个量子位中的第二量子位的尺寸不同。

13.一种多量子位芯片，所述多量子位芯片通过以下步骤形成：

在芯片上形成多个量子位，其中每个量子位包括约瑟夫逊结；

确定所述芯片上的每个量子位的初始频率；

基于所述初始频率，确定所述芯片的每个量子位的期望频率；以及

对所述多个量子位中的第一量子位的第一约瑟夫逊结进行退火，其中对所述第一约瑟夫逊结进行退火使得所述第一量子位从第一频率改变为大约所述期望频率。

14.根据权利要求13所述的多量子位芯片，其中对所述第一约瑟夫逊结进行退火包括对所述第一约瑟夫逊结进行局部退火。

15.根据权利要求13所述的多量子位芯片，其中对所述第一约瑟夫逊结进行退火使得所述第一频率增加。

16.根据权利要求15所述的多量子位芯片，进一步包括对所述多个量子位中的第二量子位的第二约瑟夫逊结进行退火，其中对所述第二约瑟夫逊结进行退火使得所述第二量子位的第二频率降低到第二期望频率。