[发明专利]用于微电子装置的工业芯片级封装

权利要求书

1.一种微电子装置，其包括：

管芯；

输入/输出I/O端子，所述I/O端子位于所述管芯上；

介电层，所述介电层位于所述管芯上；以及

支柱，所述支柱电耦接到所述I/O端子，所述支柱是导电的，所述支柱从所述I/O端子延伸穿过所述介电层到达所述微电子装置的外部，其中所述支柱包含：

柱状物，所述柱状物电耦接到所述I/O端子，所述柱状物是导电的；以及

头部，所述头部在所述柱状物的与所述I/O端子相对的一端处电耦接到所述柱状物，所述头部是导电的，所述头部在至少一个侧向方向上侧向地延伸超过所述柱状物，其中所述介电层从所述管芯延伸到所述头部。

2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述介电层包含光敏聚合物材料。

3.根据权利要求1所述的微电子装置，其中：所述介电层包含柱状物沟槽子层和头部沟槽子层，所述柱状物沟槽子层侧向地围绕所述柱状物，所述头部沟槽子层侧向地围绕所述头部；所述柱状物包含铜；并且所述头部包含铜。

4.根据权利要求3所述的微电子装置，其中所述柱状物包含柱状物衬里，所述柱状物衬里是导电的，所述柱状物衬里绕所述柱状物的侧向边界延伸，并且所述头部包含头部衬里，所述头部衬里是导电的，所述头部衬里绕所述头部的侧向边界延伸。

5.根据权利要求3所述的微电子装置，其中所述支柱包含支柱衬里，所述支柱衬里是导电的，所述支柱衬里绕所述柱状物的侧向边界并且绕所述头部的侧向边界延伸。

6.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述支柱包含所述头部上的阻挡层，所述阻挡层包含选自由以下组成的组的金属：镍、钯、铂、钛、钽、钴、钨、钼和锌。

7.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述支柱包含所述头部上的焊料层，所述焊料层定位于所述微电子装置的所述外部处。

8.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述支柱包含晶种层定位于所述柱状物与电耦接到所述柱状物的所述I/O端子之间的一部分，所述晶种层是导电的。

9.一种形成微电子装置的方法，所述方法包括：

获得具有输入/输出I/O端子的管芯；

在所述管芯上形成介电层；以及

形成支柱，所述支柱是导电的，使得所述支柱电耦接到所述I/O端子，并且使得所述支柱从所述I/O端子延伸穿过所述介电层到达所述微电子装置的外部，其中形成所述支柱包含：

形成所述支柱的柱状物，使得所述柱状物是导电的，并且使得所述柱状物电耦接到所述I/O端子；以及

形成头部，所述头部在所述柱状物的与所述I/O端子相对的一端处电耦接到所述柱状物，使得所述头部是导电的，使得所述头部在至少一个侧向方向上侧向地延伸超过所述柱状物，并且使得所述介电层从所述管芯延伸到所述头部。

10.根据权利要求9所述的方法，其中：

形成所述介电层包含在所述管芯上形成柱状物沟槽子层，所述柱状物沟槽子层具有暴露所述I/O端子的柱状物沟槽；并且

形成所述柱状物包含：

在所述柱状物沟槽子层上形成柱状物衬里，所述柱状物衬里延伸到所述柱状物沟槽中并接触所述I/O端子；

在所述柱状物衬里上形成柱状物层，使得所述柱状物层填充所述柱状物沟槽并在所述柱状物沟槽子层之上邻近所述柱状物沟槽延伸；以及

从所述柱状物沟槽子层之上邻近所述柱状物沟槽去除所述柱状物层和所述柱状物衬里。

11.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述柱状物层包含用于在所述柱状物衬里上电镀金属的电镀工艺。