[发明专利]功率半导体装置、模块及制造方法有效
| 申请号： | 201880075381.6 | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN111448668B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 樱井直树;池田靖 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336;H01L25/07;H01L25/18;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H02M7/48 |
| 代理公司： | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人： | 肖华 |
| 地址： | 日本国东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 装置 模块 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种功率半导体装置，其特征在于，具备：
功率半导体元件；
焊料；以及
导体，其经由所述焊料与所述功率半导体元件电连接，
所述功率半导体元件具有：
控制电极以及第一铝电极，它们设置在一个面上；
第二铝电极，其设置在另一个面上；
Ni层，其覆盖所述第一铝电极；以及
第一保护膜，其覆盖所述控制电极，
所述Ni层以及第一铝电极与所述第一保护膜分离，
所述功率半导体元件具有覆盖所述第一保护膜的第二保护膜，所述Ni层隔着所述第二保护膜与所述第一保护膜相对。
2.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，
所述第二保护膜的硬度比所述焊料低且比所述第一保护膜高。
3.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，
第二铝电极与第一铝电极相比连接至高电位。
4.一种模块，其特征在于，
包含权利要求1所述的功率半导体装置。
5.根据权利要求4所述的模块，其特征在于，
具备收纳所述功率半导体装置的壳体，
在所述壳体的表面及背面设置有散热用的散热片。
6.一种制造方法，其是权利要求1所述的功率半导体装置的制造方法，所述制造方法的特征在于，
所述Ni层通过化学镀法形成。
7.一种制造方法，其是权利要求1所述的功率半导体装置的制造方法，所述制造方法的特征在于，
所述第二保护膜通过光刻及蚀刻形成。
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