[发明专利]功率半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种功率半导体装置，其特征在于，具备：

电路部，其具有传递电流的导体和功率半导体元件；

第一基座部及第二基座部，它们隔着所述电路部相互对置；以及

传递模塑构件，其与所述导体以及所述功率半导体元件接触，并且填充在所述第一基座部与所述第二基座部之间的空间中，

所述第一基座部具有：第一平面部，其与该第一基座部的周缘连接；以及第一弯曲部，其使该第一平面部与该第一基座部的其他部分连接且进行塑性变形，

所述传递模塑构件以与所述第一平面部接触的状态一体地构成。

2.一种功率半导体装置，其特征在于，具备：

电路部，其具有传递电流的导体和功率半导体元件；

第一基座部和第二基座部，它们隔着所述电路部相互对置；以及

传递模塑构件，其与所述导体以及所述功率半导体元件接触，并且填充在所述第一基座部与所述第二基座部之间的空间中，

所述第一基座部具有：第一平面部，其与该第一基座部的周缘连接；以及第一切削部，其使该第一平面部与该第一基座部的其他部分连接，并且形成为比该第一基座部的其他部分薄，

所述传递模塑构件以与所述第一平面部接触的状态一体地构成。

3.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，

所述第二基座部具有：第二平面部，其与该第二基座部的周缘连接；以及第二弯曲部，其使该第二平面部与该第二基座部的其他部分连接且进行塑性变形。

4.根据权利要求2所述的功率半导体装置，其特征在于，

所述第二基座部具有：第二平面部，其与该第二基座部的周缘连接；以及第二切削部，其使该第二平面部和该第二基座部的其他部分连接，并且形成为比该第二基座部的其他部分薄。

5.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置，其特征在于，

所述传递模塑构件覆盖所述第一平面部的端部。

6.根据权利要求3或4所述的功率半导体装置，其特征在于，

所述传递模塑构件覆盖所述第二平面部的端部。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的功率半导体装置，其特征在于，具备：

流路构件，其通过金属熔融接合与所述第一基座部连接，并且形成流路，

所述第一基座部具有：散热片基座，其供散热片形成；以及中间部，其设置在所述散热片基座与所述弯曲部或所述第一切削部之间，

所述流路构件在所述中间部连接。

8.根据权利要求7所述的功率半导体装置，其特征在于，

所述中间部的厚度形成为比所述散热片基座的厚度小，

所述流路构件的流路侧的面与所述散热片基座的形成有所述散热片的一侧的面在同一平面上。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的功率半导体装置，其特征在于，

在所述电路部与所述传递模塑构件之间、所述第一基座部与所述传递模塑构件之间、以及所述第二基座部与所述传递模塑构件之间，设置有树脂薄膜。

10.一种功率半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：

第一工序，通过第一基座部和第二基座部夹持电路部，该电路部具有传递电流的导体和功率半导体元件；

第二工序，以包含所述第一基座部和所述第二基座部的各自的周缘的一部分的方式对该第一基座部和该第二基座部的各自的一部分进行冲压，使该第一基座部和该第二基座部弯曲；以及

第三工序，使模具与所述第一基座部和所述第二基座部的所述各自的一部分抵接，并注入模塑构件，该模塑构件与所述导体及所述功率半导体元件接触且填充在所述第一基座部和所述第二基座部之间的空间中。