[发明专利]含硅薄膜蒸镀用组合物及利用其的含硅薄膜的制造方法

权利要求书

1.一种含硅薄膜蒸镀用组合物，其含有下述化学式1的三甲硅烷基胺化合物，

化学式1

其中，所述组合物用于蒸镀对象基材的温度小于100℃的低温蒸镀。

2.一种含硅薄膜的制造方法，其中，包括向具有小于100℃的温度的蒸镀对象基材位于内部的腔室供给下述化学式1的三甲硅烷基胺化合物的步骤，

化学式1

3.根据权利要求2所述的含硅薄膜的制造方法，其中，所述蒸镀对象基材的温度为95℃以下。

4.根据权利要求2所述的含硅薄膜的制造方法，其中，所述含硅薄膜是氮化硅膜，所述含硅薄膜的蒸镀速度为/分钟以上。

5.根据权利要求2所述的含硅薄膜的制造方法，其中，所述含硅薄膜是氧化硅膜，所述含硅薄膜的蒸镀速度为/分钟以上。

6.根据权利要求2所述的含硅薄膜的制造方法，其中，在所述三甲硅烷基胺化合物的供给前、供给中、或者供给后，供给选自氧(O₂)、臭氧(O₃)、蒸馏水(H₂O)、过氧化氢(H₂O₂)、一氧化氮(NO)、一氧化二氮(N₂O)、二氧化氮(NO₂)、氨(NH₃)、氮(N₂)、肼(N₂H₄)、肼衍生物、二胺、一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO₂)、C1至C12饱和或不包含烃、氢、氩和氦中的一种或两种以上的气体。

7.根据权利要求2所述的含硅薄膜的制造方法，其中，还包括：

a)将位于腔室内的蒸镀对象基材加热至小于100℃的蒸镀温度并维持的步骤；

b)使所述三甲硅烷基胺化合物接触所述蒸镀对象基材而吸附于所述蒸镀对象基材的步骤；以及

c)向吸附有所述三甲硅烷基胺化合物的蒸镀对象基材注入反应气体的步骤。

8.根据权利要求7所述的含硅薄膜的制造方法，其中，将所述a)至c)步骤作为一个循环，每个循环的氮化硅膜的蒸镀速度为/循环以上。

9.根据权利要求7所述的含硅薄膜的制造方法，其中，将所述a)至c)步骤作为一个循环，每个循环的氧化硅膜的蒸镀速度为/循环以上。

10.根据权利要求7所述的含硅薄膜的制造方法，其中，所述反应气体为选自含氧气体、含氮气体、含碳气体、非活性气体或者它们的混合气体的、且经等离子体活化的气体。

11.根据权利要求2所述的含硅薄膜的制造方法，其中，含硅薄膜选自氧化硅薄膜、碳氧化硅薄膜、碳氮化硅薄膜、氮化硅薄膜、氮氧化硅薄膜、碳氮氧化硅薄膜和碳化硅薄膜中的一种或者两种以上。

12.一种含硅薄膜，其利用权利要求2至11中任一项所述的制造方法制造。