[发明专利]具有氮化铝镓三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的异质结的半导体器件

说明书

提供了一种用于形成半导体器件的方法，所述半导体器件具有布置在第二III族氮化物三元合金层上的第一III族氮化物三元合金层的异质结。确定用于第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的III族氮化物元素的浓度范围，使得在第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的异质结的界面处的极化强度差的绝对值小于或等于0.007C/msupgt;2/supgt;或大于或等于0.04C/msupgt;2/supgt;。从确定的浓度范围中选择用于第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的III族氮化物元素的特定浓度，使得在第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的异质结的界面处的极化强度差的绝对值小于或等于0.007C/msupgt;2/supgt;或大于或等于0.04C/msupgt;2/supgt;。利用所选择的用于第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的III族氮化物元素的特定浓度来形成半导体器件。第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层具有纤锌矿晶体结构。第一III族氮化物三元合金层是AlGaN，并且第二III族氮化物三元合金层是InGaN、InAlN、BAlN或BGaN。

相关申请的交叉引用

本申请要求以下专利申请的优先权：于2017年10月11日提交的标题为“BORON IIINITRIDE HETEROJUNCTIONS WITH ZERO TO LARGE HETEROINTERFACE POLARIZATIONS”的美国临时专利申请第62/570,798号；于2017年10月24日提交的标题为“III-NITRIDESEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES WITH ZERO TO LARGE HETEROINTERFACEPOLARIZATION”的美国临时专利申请第62/576,246号；于2017年12月4日提交的标题为“POLARIZATION EFFECT OF InGaN/AllnN HETEROJUNCTIONS STRAINED ON GaN”的美国临时专利申请第62/594,330号；于2017年12月4日提交的标题为“POLARIZATION EFFECT OFGaAIN/AllnN HETEROJUNCTIONS STRAINED ON AIN”的美国临时专利申请第62/594,389号；于2017年12月4日提交的标题为“POLARIZATION EFFECT OF AlGaN/InGaNHETEROJUNCTIONS STRAINED ON GaN”的美国临时专利申请No.62/594,391号；于2017年12月5日提交的标题为“POLARIZATION EFFECT OF AlGaN/BGaN HETEROJUNCTIONS STRAINEDON GaN”的美国临时专利申请第62/594,767号；以及于2017年12月5日提交的标题为“POLARIZATION EFFECT OF AlGaN/AllnN HETEROJUNCTIONS STRAINED ON AlN”的美国临时专利申请第62/594,774号，其全部公开内容通过引用合并于此。

背景技术

技术领域

所公开的主题的实施例大体上涉及具有纤锌矿III族氮化物三元合金的异质结的半导体器件，其中异质结基于形成两个纤锌矿III族氮化物三元合金层的元素的成分，表现出或小或大的极化强度差，所述两个纤锌矿III族氮化物三元合金层形成异质结。

背景技术的讨论