[发明专利]使用牺牲导电堆叠来防止腐蚀的方法

权利要求书

1.一种制造集成电路IC芯片的方法，所述方法包括：

通过钝化外涂层打开所述IC芯片的第一表面上的窗口以暴露铜金属化物层，所述窗口具有侧壁及与所述铜金属化物层相邻的底部；

将阻挡导电堆叠沉积在所述钝化外涂层及所述铜金属化物层的暴露部分上；

将牺牲导电堆叠沉积在所述阻挡导电堆叠上，所述牺牲导电堆叠具有在与之间的厚度；及

对所述半导体芯片的所述第一表面进行抛光以从所述钝化外涂层的表面去除所述牺牲导电堆叠及所述阻挡导电堆叠。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述阻挡导电堆叠包括第一氮化钽层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述阻挡导电堆叠进一步包括镍层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述阻挡导电堆叠进一步包括第二氮化钽层。

5.根据权利要求2所述的方法，其中所述阻挡导电堆叠进一步包括钨层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲导电堆叠包括钯、铂、金、钌中的任一者，或其任何组合。

7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括执行蚀刻工艺以从所述窗口的至少所述底部去除所述牺牲导电堆叠。

8.根据权利要求7所述的方法，其中执行所述蚀刻工艺包括执行湿式刻蚀工艺以从所述窗口去除所述牺牲导电堆叠。

9.根据权利要求7所述的方法，其中执行所述蚀刻工艺包括执行溅射蚀刻工艺以从所述窗口的所述底部去除所述牺牲导电堆叠。

10.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括形成基本上填充所述窗口的另一金属化物层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述另一金属化物层是凸块下金属层。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述另一金属化物层是电镀铜层。

13.一种制造集成电路的方法，所述方法包括：

接收半导体芯片，所述半导体芯片包括通过保护外涂层到达铜金属化物层的窗口，所述窗口具有与所述铜金属化物层相邻的阻挡导电堆叠，及与所述阻挡导电堆叠相邻的牺牲导电堆叠；及

执行蚀刻工艺以去除所述牺牲导电堆叠。

14.根据权利要求13所述的方法，其中执行所述蚀刻工艺包括执行去除所述整个牺牲导电堆叠的湿式刻蚀工艺。

15.根据权利要求13所述的方法，其中执行所述蚀刻工艺包括执行溅射蚀刻工艺，所述溅射蚀刻工艺从所述窗口的与所述铜金属化物层相邻的表面去除所述牺牲导电堆叠。

16.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括形成另一金属化物层，所述另一金属化物层通过所述阻挡导电堆叠耦合到所述铜金属化物层。

17.根据权利要求16所述的方法，其中形成所述另一金属化物层包括电镀铜互连层。

18.根据权利要求16所述的方法，其中形成所述另一金属化物层包括沉积覆盖所述窗口的凸块下金属层。