[发明专利]磁传感器的制造方法及磁传感器集合体

说明书

磁传感器1的制造方法包括下述工序：硬磁体层形成工序，在圆盘状的非磁性基板10上形成将被加工成薄膜磁铁20的硬磁体层103；软磁体层形成工序，在基板1O上的硬磁体层103上层叠形成软磁体层105，所述软磁体层105将被加工成对磁场进行感应的感应元件；和硬磁体层充磁工序，沿圆盘状的基板10的圆周方向对硬磁体层103进行充磁。

技术领域

本发明涉及磁传感器的制造方法及磁传感器集合体。

背景技术

作为公报中记载的现有技术，存在下述磁阻抗效应元件，其具备在非磁性基板上形成的薄膜磁铁(其由硬磁体膜形成)、覆盖前述薄膜磁铁上方的绝缘层、在前述绝缘层上形成的被赋予了单轴各向异性的感磁部(其由一个或多个长方形形状的软磁体膜形成)、和将前述感磁部的多个软磁体膜电连接的导体膜，在前述感磁部的长边方向上，前述薄膜磁铁的两端部位于前述感磁部的两端部的外侧，前述绝缘层在前述薄膜磁铁的各个端部上具有开口部，在前述绝缘层上，在前述薄膜磁铁与前述感磁部之间形成磁路的磁轭部(其由软磁体膜形成)介由前述绝缘层的开口部在从前述薄膜磁铁的端部至前述感磁部的端部附近的范围内形成(参见专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-249406号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，对于使用了磁阻抗效应元件的磁传感器而言，对磁阻抗效应元件施加偏置磁场，从而使得磁阻抗效应元件的阻抗相对于外部磁场的变化呈直线性地变化。作为产生该偏置磁场的方法，有使用在面内方向进行了充磁的薄膜磁铁的方法。通过使用薄膜磁铁，不需要设置用于产生磁场的线圈。

本发明提供容易进行对沿圆盘状的基板的圆周方向排列而制造的磁传感器的薄膜磁铁的充磁的磁传感器的制造方法等。

用于解决问题的方案

应用了本发明的磁传感器的制造方法包括下述工序：硬磁体层形成工序，在圆盘状的非磁性基板上形成将被加工成薄膜磁铁的硬磁体层；软磁体层形成工序，在基板上的硬磁体层上层叠形成软磁体层，所述软磁体层将被加工成对磁场进行感应的感应元件；和硬磁体层充磁工序，沿圆盘状的基板的圆周方向对硬磁体层进行充磁。

这样的磁传感器的制造方法的特征可以在于，硬磁体层充磁工序中，使在沿着基板的圆周方向的方向产生硬磁体层的矫顽力以上的磁场的充磁构件沿直径方向移动，并且使基板绕中心旋转，由此进行充磁。

而且，特征可以在于，充磁构件在圆周方向上配置N极和S极，保持为自基板隔开预定的距离的状态，对硬磁体层施加比硬磁体层的矫顽力大的磁场。

通过这种方式，可以减小构成充磁构件的磁铁。

另外，这样的磁传感器的制造方法的特征可以在于，软磁体层形成工序中，利用磁控溅射形成软磁体层，通过磁控溅射中使用的磁场对与基板的圆周方向交叉的方向赋予单轴磁各向异性。

通过这种方式，能够在形成软磁体层的同时赋予单轴磁各向异性。

而且，这样的磁传感器的制造方法的特征可以在于，软磁体层形成工序中的磁控溅射是在与基板的表面呈对向的面内、使用相对于基板的中心呈非对称的结构的磁铁进行旋转的阴极来实施的。

通过这种方式，可以扩大能够对软磁体层赋予单轴磁各向异性的面积。

另外，特征可以在于，包括：控制层形成工序，在基板与硬磁体层之间形成将硬磁体层的磁各向异性控制于面内方向的控制层。

通过这种方式，硬磁体层的面内各向异性的控制变容易。