[发明专利]用于气相沉积含钛膜的形成含钛膜的组合物在审
| 申请号： | 201880076908.7 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN111386592A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 安东尼奥·桑切斯;让-马克·吉拉尔;格里戈里·尼基福罗夫;尼古拉斯·布拉斯科 | 申请（专利权）人： | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 沉积 含钛膜 形成 组合 | ||
1.一种形成含钛膜的组合物，该组合物包含具有下式的含卤化钛的前体：
TiXb:Ac
其中b＝3或4；c＝1-3；X＝Br或I；A＝SRR’、SeRR’、或TeRR’，并且R和R’独立地是H或C1-C5烃。
2.如权利要求1所述的形成含钛膜的组合物，进一步包含在大约0％w/w与0.2％w/w之间、优选地在大约0％w/w与0.1％w/w之间的卤氧化物(TiX2(＝O))、羟基卤化物(TiX3(OH))、以及氧化物(TiO2)的混合物。
3.如权利要求1所述的形成含钛膜的组合物，进一步包含在大约0％w/w与0.1％w/w之间的卤化氢(HX)。
4.如权利要求1所述的形成含钛膜的组合物，进一步包含在大约0％w/w与5％w/w之间的烃溶剂或游离加合物。
5.如权利要求1所述的形成含钛膜的组合物，进一步包含在大约0％w/w与5ppmw之间的H2O。
6.如权利要求1所述的形成含钛膜的组合物，其中X是Br。
7.如权利要求1所述的形成含钛膜的组合物，其中X是I。
8.如权利要求1所述的形成含钛膜的组合物，其中A是SRR’。
9.如权利要求1所述的形成含钛膜的组合物，其中A是SeRR’。
10.如权利要求1所述的形成含钛膜的组合物，其中A是TeRR’。
11.如权利要求8所述的形成含钛膜的组合物，其中该含卤化Ti的前体是TiBr4:S(nPr)2。
12.如权利要求8所述的形成含钛膜的组合物，其中R≠R’。
13.如权利要求12所述的形成含钛膜的组合物，其中该含卤化Ti的前体是TiBr4:SEt(nPr)。
14.如权利要求8所述的形成含钛膜的组合物，其中该含卤化Ti的前体在标准温度和压力下是液体。
15.一种在基板上沉积含Ti膜的方法，该方法包括将如权利要求1所述的形成含Ti膜的组合物引入到含有该基板的反应器中并将该含卤化Ti的前体的至少一部分沉积到该基板上以形成该含Ti膜。
16.如权利要求15所述的方法，进一步包括将反应物引入到该反应器中。
17.如权利要求15所述的方法，其中选择性地将该含Ti膜沉积到该基板上。
18.如权利要求15所述的方法，其中该形成含Ti膜的组合物包含具有式TiBr4:(SRR’)2的含卤化钛的前体。
19.如权利要求18所述的方法，其中该形成含Ti膜的组合物包含具有式TiBr4:S(nPr)2的含卤化钛的前体。
20.如权利要求15所述的方法，其中该形成含Ti膜的组合物包含具有式TiBr4:SEt(nPr)的含卤化钛的前体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
