[发明专利]衬底加工设备和加工衬底并制造被加工工件的方法有效
申请号: | 201880076991.8 | 申请日: | 2018-11-27 |
公开(公告)号: | CN111373520B | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | H.罗曼;H.费尔策;D.杰格;H.布鲁斯 | 申请(专利权)人: | 瑞士艾发科技 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 蔡宗鑫;王玮 |
地址: | 瑞士特*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 加工 设备 制造 工件 方法 | ||
1.一种衬底加工设备(10),包括:
-底座(19),其带有延伸的基本上平面的加工侧表面(190)和后侧表面(191),
-衬底支承件(14),其布置于所述加工侧表面(190)上,并且设计成在其周缘处承载所述衬底(17),所述周缘限定与所述加工侧表面(190)间隔开的平面,
-加热元件(15),其在由所述衬底支承件(14)的所述周缘限定的所述平面与所述加工侧表面(190)之间布置于所述底座(19)上,所述加热元件(15)包括通路(25),所述通路(25)允许电磁辐射从由所述衬底支承件(14)的所述周缘限定的所述平面通过而到达所述加工侧表面(190),
-至少一个辐射传感器(21),其适于测量电磁辐射,
-至少一个辐射通道,其布置于所述至少一个辐射传感器(21)与由所述衬底支承件(14)的所述周缘限定的所述平面之间,所述至少一个辐射通道至少部分地可透过电磁辐射并且包括所述底座(19)中的从所述加工侧表面(190)延伸到所述后侧表面(191)的通路(23),
-第一辐射导体(22),其布置于所述底座(19)的所述后侧表面(191)上,在距所述后侧表面(191)一定距离处安装在安装至所述后侧表面(191)的套筒(28)中,或在所述底座(19)的所述通路(23)内,和
-额外的辐射导体(26),其布置于所述加热元件(15)与所述第一辐射导体(22)之间,并且保护位于下面的所述第一辐射导体(22)。
2.根据权利要求1所述的衬底加工设备(10),其中,处理材料源(11)在所述底座(19)的相反侧上布置于距由所述衬底支承件(14)的所述周缘限定的所述平面一定距离处。
3.根据前述权利要求中的任一项所述的衬底加工设备(10),其中,热反射表面(18)布置于所述加工侧表面(190)上,其中,所述热反射表面(18)包括通路(24),所述通路(24)允许电磁辐射从由所述衬底支承件(14)的所述周缘限定的所述平面穿过所述热反射表面(18)。
4.根据权利要求3所述的衬底加工设备(10),其中,所述第一辐射导体(22)布置于所述底座(19)的所述通路(23)和所述热反射表面(18)的所述通路(24)内。
5.根据权利要求1至2中的任一项所述的衬底加工设备(10),其中,所述第一辐射导体(22)未从所述底座(19)中的与所述底座(19)的所述加工侧表面(190)有关的所述通路(23)突出。
6.根据权利要求5所述的衬底加工设备(10),其中,在所述第一辐射导体(22)和所述加工侧表面(190)之间存在空隙。
7.根据权利要求4所述的衬底加工设备(10),其中,所述额外的辐射导体(26)布置于所述热反射表面(18)的表面上,至少覆盖所述热反射表面(18)的所述通路(24)。
8.根据权利要求7所述的衬底加工设备(10),其中,所述第一辐射导体(22)被套筒(28)侧向地包围。
9.根据权利要求1至2中的任一项所述的衬底加工设备(10),其中,密封材料(27)布置于所述第一辐射导体(22)与所述底座(19)之间。
10.根据权利要求8所述的衬底加工设备(10),其中,密封材料(27)布置于所述第一辐射导体(22)与所述套筒(28)之间和/或所述套筒(28)与所述底座(19)之间。
11.根据权利要求1至2中的任一项所述的衬底加工设备(10),其中,至少一个辐射通道形成为透镜或包括透镜(30)。
12.根据权利要求11所述的衬底加工设备(10),其中,所述透镜(30)布置于由所述衬底支承件(14)的所述周缘限定的所述平面与所述第一辐射导体(22)之间。
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