[发明专利]半导体发光元件的制造方法有效

申请号：	201880077036.6	申请日：	2018-11-26
公开（公告）号：	CN111566828B	公开（公告）日：	2023-07-21
发明（设计）人：	山本稔;井上直人;为本广昭;堀田芳敬;大竹秀幸	申请（专利权）人：	日亚化学工业株式会社
主分类号：	H01L33/02	分类号：	H01L33/02;H01L33/32
代理公司：	北京集佳知识产权代理有限公司 11227	代理人：	舒艳君;王海奇
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	半导体发光元件制造方法
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【权利要求书】：

1.一种半导体发光元件的制造方法，包含：

准备基板上设置有半导体结构的晶片的工序；以及

在上述晶片的基板内的厚度方向上的规定的深度，按规定的间隔距离以第一时间间隔脉冲状地多次照射激光的工序，

在照射上述激光的工序中，以上述第一时间间隔进行的各激光照射包含：

向上述基板内的厚度方向上的第一聚光位置照射具有第一脉冲能量的第一激光脉冲的工序；以及

在上述第一激光脉冲的照射后，在上述基板内的厚度方向上的规定的深度，以第二时间间隔对上述基板照射第二激光脉冲的工序，其中，上述第二时间间隔是比上述第一时间间隔短的3ps～900ps时间间隔且是上述第一激光脉冲与上述第二激光脉冲的时间间隔，上述第二激光脉冲具有相对于上述第一脉冲能量的强度比为0.5～1.5的第二脉冲能量，使与上述第二时间间隔对应的激光斑点间的距离间隔恒定，并使上述基板与激光的照射位置平行于上述基板的主面相对移动地照射上述第二激光脉冲。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件的制造方法，其中，

在照射上述第二激光脉冲的工序中，上述第二激光脉冲的第二脉冲能量相对于上述第一脉冲能量的强度比为0.8～1.2。

3.根据权利要求2所述的半导体发光元件的制造方法，其中，

上述第二时间间隔为3ps～500ps。

4.根据权利要求3所述的半导体发光元件的制造方法，其中，

上述第二时间间隔为50ps～350ps。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体发光元件的制造方法，其中，

上述第一激光脉冲的脉冲宽度以及第二激光脉冲的脉冲宽度为100fs～10000fs。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体发光元件的制造方法，其中，

上述第一时间间隔为5μs～40μs。

7.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体发光元件的制造方法，其中，

上述第一激光脉冲的第一脉冲能量为0.5μJ～15μJ。