[发明专利]缺陷测定装置、缺陷测定方法以及检查探头

说明书

检查探头(100)具备：磁轭(1)、磁铁(2)以及对在磁性体管(P)所形成的磁路中流过的磁通密度进行检测的霍尔元件(3)，磁轭(1)的第2外周面(12a)位于比第1外周面(11a)更靠磁性体管(P)侧的位置。

技术领域

本发明涉及一种对由磁性体构成的构件的缺陷进行测定的缺陷测定装置、缺陷测定方法、以及在上述缺陷的测定中使用的检查探头。

背景技术

以往，作为用于调查磁性体构件中壁厚减薄、龟裂等缺陷(缺损)的有无的检查方法，已知有在专利文献1中公开的漏磁通法(MFL：Magnetic Flux Leakage)等。此外，在专利文献2中，作为用于对磁性体构件中的缺陷进行定量地测定的检查方法，提出了一种磁通阻力法。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本国公开专利公报“日本特开2004-212161号公报(2004年7月29日公开)”

专利文献2：日本国公开专利公报“日本特开2017-026353号公报(2017年2月2日公开)”

发明内容

-发明要解决的课题-

然而，能够在检查探头配置的磁铁的尺寸存在制约。因此，在专利文献2的技术中，在测定对象是小直径的磁性体构件、厚壁的磁性体构件的情况下，得不到为了通过磁通阻力法来定量地测定缺陷所需要的磁通密度，有可能定量的测定变得困难。

本发明的一个方式的目的在于，提供一种即使在小直径的磁性体构件、厚壁的磁性体构件，也能够定量地测定缺陷的缺陷测定装置、缺陷测定方法以及检查探头。

-用于解决课题的手段-

为了解决上述课题，本发明的一个方式所涉及的缺陷测定装置是检查磁性体构件的缺陷的缺陷测定装置，包含检查探头以及计算部，所述检查探头具备：磁铁；在相对于所述磁铁而与所述磁性体构件相反的一侧配置的磁轭；和在所述磁轭和所述磁性体构件之间配置，并对在由所述磁铁、所述磁轭以及所述磁性体构件形成的磁路中流过的磁通密度进行检测的磁传感器，所述计算部根据所述磁传感器的输出来计算所述磁性体构件的缺陷的深度，所述磁轭具有隔着所述磁铁而与所述磁性体构件对置的第1对置面、和隔着所述磁传感器而与所述磁性体构件对置的第2对置面，所述第2对置面位于比所述第1对置面更靠所述磁性体构件侧的位置。

为了解决上述课题，本发明的一个方式所涉及的缺陷测定方法是检查磁性体构件的缺陷的缺陷测定方法，使用所述缺陷测定装置来检查所述磁性体构件的缺陷。

为了解决上述课题，本发明的一个方式所涉及的检查探头是用于检查磁性体构件的缺陷的检查探头，具备：磁铁；在相对于所述磁铁而与所述磁性体构件相反的一侧配置的磁轭；和在所述磁轭和所述磁性体构件之间配置，并对在由所述磁铁、所述磁轭以及所述磁性体构件形成的磁路中流过的磁通密度进行检测的磁传感器，所述磁轭具有隔着所述磁铁而与所述磁性体构件对置的第1对置面、和隔着所述磁传感器而与所述磁性体构件对置的第2对置面，所述第2对置面位于比所述第1对置面更靠所述磁性体构件侧的位置。

-发明的效果-

根据本发明的一个方式，能够实现即使在小直径的磁性体构件、厚壁的磁性体构件，也能够定量地测定缺陷的效果。

附图说明

图1是表示在本发明的实施方式1所涉及的壁厚减薄测定装置中使用的检查探头的结构的示意图。

图2是表示图1中示出的检查探头的壁厚减薄测定时的状态的示意图。

图3是表示从图1中示出的检查探头所具备的霍尔元件输出的电压、和磁性体管的壁厚减薄率的关系的图表。