[发明专利]具有改进强度的半导体晶片在审
申请号: | 201880077213.0 | 申请日: | 2018-11-02 |
公开(公告)号: | CN111418056A | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | 克里斯·哈迪曼;荣-槿·李;法比亚·拉杜勒斯库;丹尼尔·纳米希亚;斯科特·托马斯·谢泼德 | 申请(专利权)人: | 克利公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L29/06 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 刘凤迪 |
地址: | 美国北卡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 改进 强度 半导体 晶片 | ||
1.一种半导体晶片,包括:
基底,所述基底具有由基底终止边缘限定的边界;
在所述基底上方的第一钝化层,所述第一钝化层终止于第一钝化终止边缘,所述第一钝化终止边缘从所述基底终止边缘内移第一距离;以及
在所述第一钝化层和所述基底上方的第二钝化层,所述第二钝化层终止于第二钝化终止边缘,所述第二钝化终止边缘从所述基底终止边缘内移第二距离,其中,所述第二距离小于所述第一距离,使得所述第二钝化层与所述第一钝化层重叠。
2.根据权利要求1所述的半导体晶片,还包括在所述第二钝化层和所述基底上方的第三钝化层,所述第三钝化层终止于第三钝化终止边缘,所述第三钝化终止边缘从所述基底内移第三距离,其中,所述第三距离小于所述第二距离,使得所述第三钝化层与所述第二钝化层重叠。
3.根据权利要求2所述的半导体晶片,其中,所述基底包括:
有源区域,在所述有源区域中设置有一个或多个有源装置;以及
势垒区域,围绕所述有源区域并配置成将所述有源区域与所述基底终止边缘电隔离,其中:
所述势垒区域终止于势垒区域终止边缘,所述势垒区域终止边缘从所述基底终止边缘内移第四距离,其中,所述第四距离大于所述第三距离;并且
由所述势垒区域终止边缘与所述基底终止边缘之间的区域形成电荷重新分配路径。
4.根据权利要求3所述的半导体晶片,其中,形成所述电荷重新分配路径的所述区域被注入有掺杂剂以增加形成所述电荷重新分配路径的所述区域的导电性。
5.根据权利要求3所述的半导体晶片,其中,所述电荷重新分配路径耦接到固定电位。
6.根据权利要求3所述的半导体晶片,其中,所述第四距离大于所述第二距离。
7.根据权利要求2所述的半导体晶片,还包括电荷重新分配路径,所述电荷重新分配路径包括在所述第二钝化层下方的在所述第一钝化终止边缘与所述第二钝化终止边缘之间的金属层。
8.根据权利要求7所述的半导体晶片,其中,所述电荷重新分配路径耦接到固定电位。
9.根据权利要求1所述的半导体晶片,其中,所述基底包括:
有源区域,在所述有源区域中设置有一个或多个有源装置;以及
势垒区域,围绕所述有源区域并配置成将所述有源区域与所述基底终止边缘电隔离,其中:
所述势垒区域终止于势垒区域终止边缘,所述势垒区域终止边缘从所述基底终止边缘内移第三距离,其中,所述第三距离大于所述第二距离;并且
由所述势垒区域终止边缘与所述基底终止边缘之间的区域形成电荷重新分配路径。
10.根据权利要求9所述的半导体晶片,其中,形成所述电荷重新分配路径的所述区域被注入有掺杂剂以增加形成所述电荷重新分配路径的所述区域的导电性。
11.根据权利要求9所述的半导体晶片,其中,所述电荷重新分配路径耦接到固定电位。
12.根据权利要求1所述的半导体晶片,还包括电荷重新分配路径,所述电荷重新分配路径包括在所述第二钝化层下方的在所述第一钝化终止边缘与所述第二钝化终止边缘之间的金属层。
13.根据权利要求12所述的半导体晶片,其中,所述电荷重新分配路径耦接到固定电位。
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