[发明专利]光电子器件的制造

权利要求书

1.一种用于制造光电子器件(100)的方法，所述方法包括：

提供金属载体(110)，其中所述载体具有前侧(111)和与所述前侧相反的后侧(112)；

在前侧上移除载体材料，使得所述载体(110)在所述前侧(111)的区域中具有突出的载体部段(121，122)和在其之间设置的凹陷部(130)；

构成邻接于载体部段(121，122)的塑料体(150)；

将光电子半导体芯片(170)设置在载体部段(121，122)上；

在所述凹陷部(130)的区域中在后侧上移除载体材料，使得所述载体(110)结构化为分离的载体部段(121，122)；和

进行分割，其中将所述塑料体(150)在分离的载体部段之间切开并且形成具有至少一个光电子半导体芯片(170)的分割的光电子器件(100)，

其中通过在前侧上移除载体材料，进行所述载体(110)的预先结构化，所述塑料体(150)的构成在预先结构化的所述载体(110)上进行，并且在构成所述塑料体(150)之后，在后侧上移除载体材料以将所述载体(110)结构化为分离的载体部段(121，122)，

其中将所述光电子半导体芯片(170)嵌入所述塑料体(150)中，

其中所述塑料体(150)的构成包括第一和第二塑料材料(151，152)的设置，所述第一塑料材料(151)是反射性的塑料材料，将所述第一塑料材料(151)在设置所述光电子半导体芯片(170)之前设置在所述载体(110)的所述凹陷部(130)中，使得所述第一塑料材料(151)与在所述前侧(111)的区域中突出的所述载体部段(121，122)齐平，并且将所述第二塑料材料(152)在设置所述光电子半导体芯片(170)之后设置在所述第一塑料材料(151)、所述光电子半导体芯片(170)和呈连续的且覆盖所述光电子半导体芯片(170)的层的形式的载体部段(121，122)上，使得所述光电子半导体芯片(170)嵌入所述第二塑料材料(152)中。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中在所述载体(110)中构成穿通孔(133)，并且其中所述塑料体(150)的构成进行成，使得所述塑料体(150)具有设置在所述穿通孔(133)中的锚固部段(158)。

3.根据权利要求1所述的方法，

其中在将所述载体(110)结构化为分离的载体部段之后，在所述载体部段(121，122)的后侧上和侧壁上构成金属润湿层(145)。

4.根据权利要求1所述的方法，

其中在将所述载体(110)结构化为分离的载体部段之后，在所述载体部段(121，122)的侧壁上构成防润湿层(146)和在载体部段(121，122)的后侧上构成金属润湿层(145)。

5.根据权利要求1所述的方法，

其中在后侧上移除载体材料之前，将所述光电子半导体芯片(170)设置在载体部段上。

6.根据权利要求1所述的方法，

其中存在如下特征中的至少一个特征：

借助于刻蚀执行载体材料在前侧上和在后侧上的移除；

和/或

所述光电子半导体芯片(170)是发射辐射的半导体芯片。