[发明专利]具有多层囊封剂的半导体装置及相关联系统、装置与方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

衬底，其包含迹线，其中所述迹线突出在所述衬底的顶表面上方；

预填充材料，其在所述衬底上方且在所述迹线之间，其中所述预填充材料直接接触所述迹线的外围表面；

裸片，其经附接在所述衬底上方；及

晶片级底部填充物，其在所述预填充材料与所述裸片之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中在一定制造条件下所述预填充材料对应于第一粘度水平，其中在所述制造条件下所述第一粘度水平低于所述晶片级底部填充物的第二粘度水平。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述预填充材料包含非导电膏NCP。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述NCP包含助熔功能或特性。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述NCP具有与所述迹线的一或多个顶表面共面或在其上方的顶表面。

6.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述预填充材料包含非导电液体囊封剂。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述非导电液体囊封剂具有与所述迹线的一或多个顶表面共面或在其下方的顶表面。

8.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述预填充材料包含焊料掩模，所述焊料掩模的顶表面与所述迹线的一或多个顶表面共面或在其下方。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述预填充材料直接接触所述晶片级底部填充物。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

所述预填充材料直接接触所述衬底的所述顶表面；

所述裸片包含底表面及从所述裸片突出的支柱，其中所述支柱电耦合到所述迹线；且

所述晶片级底部填充物直接接触所述裸片的所述底表面及所述支柱。

11.一种制造半导体装置的方法，其包括：

提供包含迹线的衬底，其中所述迹线突出在所述衬底的顶表面上方；

在所述衬底上方且在所述迹线之间形成预填充材料，其中所述预填充材料直接接触所述迹线的外围表面；及

在所述预填充材料上方将临时结构附接到所述衬底，其中所述临时结构包含裸片及在所述裸片与所述预填充材料之间的晶片级底部填充物。

12.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述预填充材料包含在所述迹线之间施加非导电膏NCP。

13.根据权利要求12所述的方法，其中施加所述NCP包含施加包含助熔功能或特性的所述NCP。

14.根据权利要求12所述的方法，其中施加所述NCP包含施加所述NCP使得所述NCP的顶表面与所述迹线的顶表面共面或在其上方。

15.根据权利要求12所述的方法，其中：

施加所述NCP包含直接接触所述迹线的一或多个顶表面的至少部分而施加所述NCP；

附接所述临时结构包含基于与所述NCP相关联的助熔功能来从所述迹线的一或多个顶表面的至少部分移除所述NCP。

16.根据权利要求12所述的方法，其中附接所述临时结构包含在不固化所述NCP的情况下附接所述临时结构。

17.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括在附接所述临时结构之前至少部分地固化所述NCP。

18.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述预填充材料包含在所述迹线之间喷射非导电液体囊封剂。