[发明专利]先进纳米结构的测量方法

权利要求书

1.一种方法，其包括：

在处理器处接收光谱，其中所述光谱是来自包含结构的半导体晶片的区域，其中所述光谱是通过晶片计量工具测量，且其中所述结构具有几何结构诱发的各向异性效应；

使用所述处理器产生所述结构的参数化几何模型；

使用所述处理器将各向异性材料性质指派到所述参数化几何模型；

运用所述处理器使用所述参数化几何模型确定所述晶片上的所述结构的色散参数，其中所述色散参数包含各向异性色散参数；及

使用所述处理器从所述参数化几何模型确定至少一个几何参数或各向异性材料参数。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括用所述晶片计量工具测量所述光谱。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述色散参数包含各向异性张量矩阵。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述色散参数的各向异性电介质分量是由参考理论或经验色散模型提供。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述参考理论或经验色散模型表示所述色散参数对各向异性的促成因素的相依性。

6.根据权利要求1所述的方法，其中使用回归确定所述至少一个几何参数或各向异性材料参数。

7.根据权利要求1所述的方法，其中使用机器学习确定所述至少一个几何参数或各向异性材料参数。

8.根据权利要求1所述的方法，其中使用双轴模型或单轴模型对所述色散参数进行建模。

9.根据权利要求8所述的方法，其中通过至少一个参考色散模型提供所述双轴模型或所述单轴模型的电介质分量。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述各向异性材料性质包含电子密度、材料密度或化学组合物中的至少一者。

11.根据权利要求1所述的方法，其中使用校正参数参数化所述各向异性色散参数。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述校正参数表示原始各向异性色散的偏移或比例。

13.根据权利要求1所述的方法，其中通过包含以下各者的过程确定所述色散参数：

使用所述参数化几何模型、色散模型及模拟器产生实验的光谱设计，其中所述几何参数及色散参数中的至少一者分布于预定范围内；

训练统计模型以确定所述光谱与相关于所述结构的几何参数及/或材料参数的至少一个参数之间的关系；及

使用所述统计模型从所述光谱预测所述结构的所关注参数。

14.根据权利要求1所述的方法，其中通过最小化所述光谱的建模版本与经测量版本之间的光谱差异的优化或回归中的至少一者且通过扰动所述参数化几何模型及所述色散参数而确定所述色散参数。

15.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括使用基于比较模拟光谱与所述光谱的学习的一或多个反馈操作以调整所述参数化几何模型、色散模型及/或几何配置中的参数。

16.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括使用所述光谱预测各向异性色散。

17.一种计算机程序产品，其包括非暂时性计算机可读存储媒体，所述非暂时性计算机可读存储媒体具有与其一起体现的计算机可读程序，所述计算机可读程序经配置以实行根据权利要求1所述的方法。