[发明专利]化合物半导体基板在审
| 申请号： | 201880077878.1 | 申请日： | 2018-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN111433889A | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 大内澄人;铃木悠宜;生川满久;川村启介 | 申请（专利权）人： | 爱沃特株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C30B29/38;H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王亚爱 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 | ||
1.一种化合物半导体基板，具备：
基底层；
缓冲层，形成于所述基底层上且由AlN构成；
下部复合层，形成于所述缓冲层上；以及
上部复合层，形成于所述下部复合层上，
所述下部复合层包括：
沿上下方向层叠，包括Al的多个下部氮化物半导体层；以及
形成于所述多个下部氮化物半导体层各自之间的下部GaN层，
所述上部复合层包括：
沿上下方向层叠的多个上部GaN层；以及
形成于所述多个上部GaN层各自之间的包括Al的上部氮化物半导体层。
2.根据权利要求1所述的化合物半导体基板，其中，
所述基底层由SiC构成。
3.根据权利要求1所述的化合物半导体基板，其中，
所述下部GaN层具有3nm以上且100nm以下的厚度。
4.根据权利要求1所述的化合物半导体基板，其中，
所述上部氮化物半导体层具有3nm以上且50nm以下的厚度。
5.根据权利要求1所述的化合物半导体基板，其中，
所述多个下部氮化物半导体层为3层，
所述下部GaN层为2层。
6.根据权利要求1所述的化合物半导体基板，其中，
所述多个下部氮化物半导体层包括Al以及Ga，
在对所述多个下部氮化物半导体层各自的Al的平均组成比进行了比较的情况下，越是在远离所述基底层的位置形成的下部氮化物半导体层，Al的平均组成比越小。
7.根据权利要求1所述的化合物半导体基板，其中，
所述多个上部GaN层为3层，
所述上部氮化物半导体层为2层。
8.根据权利要求1所述的化合物半导体基板，其中，
所述多个下部氮化物半导体层中的与所述下部GaN层接触并形成于所述下部GaN层上的下部氮化物半导体层包括拉伸变形，
所述多个上部GaN层中的与所述上部氮化物半导体层接触并形成于所述上部氮化物半导体层上的上部GaN层包括压缩变形。
9.根据权利要求1所述的化合物半导体基板，其中，
所述上部氮化物半导体层由AlN构成。
10.根据权利要求1所述的化合物半导体基板，其中，
所述化合物半导体基板还具备：
电子迁移层，由形成于所述上部复合层上的GaN构成；以及
势垒层，形成于所述电子迁移层上。
11.根据权利要求1所述的化合物半导体基板，其中，
所述多个上部GaN层分别具有1×1018个/cm3以上且1×1021个/cm3以下的平均碳原子浓度。
12.根据权利要求1所述的化合物半导体基板，其中，
所述多个上部GaN层分别具有550nm以上且3000nm以下的厚度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱沃特株式会社，未经爱沃特株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880077878.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：信息处理装置、生物体信息测定装置、方法以及程序
- 下一篇：下水道线缆解耦工具
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
