[发明专利]用有机前体通过远程等离子体表面处理含硅和碳的膜

权利要求书

1.一种用于加工工件的方法，所述工件包括含硅和碳的膜材料，所述方法包括在含硅和碳的膜材料上进行基于有机自由基的表面处理工艺，所述基于有机自由基的表面处理工艺包括：

在第一腔室中生成一种或多种核素；

将一种或多种烃分子与所述核素混合以形成包括一种或多种有机自由基的混合物；以及

在第二腔室中将在所述工件上的含硅和碳的层暴露于所述混合物。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述基于有机自由基的表面处理工艺导致在所述含硅和碳的膜材料的至少一部分上的甲基化。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述含硅和碳的膜材料包括氧。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述膜材料具有约1％至约50％的孔隙率。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述含硅和碳的膜材料包括氮。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述含硅和碳的膜材料用作生产线前道工序应用中形成的隔离物结构的至少部分。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述含硅和碳的膜材料作用生产线后道工序应用中形成的互连结构的至少部分。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述一种或多种烃分子具有C_nH_2n+2的化学式，其中n为大于或等于1和小于或等于10。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述一种或多种烃分子具有C_nH_2n的化学式，其中n为大于或等于2并且n小于或等于10。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述一种或多种烃分子与第一腔室中的核素混合。

11.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第一腔室中所述一种或多种烃分子与所述核素混合。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包括在进行表面处理工艺后在所述第一腔室中生成等离子体并且从所述第二腔室中移出所述工件。

13.根据权利要求12所述的方法，其中在进行表面处理工艺后在所述第一腔室中生成等离子体包括生成一种或多种氧自由基。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述一种或多种有机自由基包括CH₃自由基。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包括使用从第一腔室中的等离子体生成的一种或多种自由基进行干式剥离工艺。

16.根据权利要求1所述的方法，其中使用感应耦合等离子体源在第一腔室中在来自工艺气体的等离子体中生成所述一种或多种核素。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述工艺气体为惰性气体。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述惰性气体为氦气。

19.根据权利要求16所述的方法，其中所述工艺气体包括氢气并且所述核素包括氢自由基。

20.根据权利要求1所述的方法，其中所述核素包括使用加热丝生成的一种或多种氢自由基。

21.根据权利要求1所述的方法，其中所述一种或多种有机自由基是使用分子的热解或UV辅助分子解离生成的。