[发明专利]磁传感器有效
申请号: | 201880078121.4 | 申请日: | 2018-11-27 |
公开(公告)号: | CN111433620B | 公开(公告)日: | 2022-06-28 |
发明(设计)人: | 栃下光;坪川雅;堤弘毅 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09;G01R33/02;H01L43/08 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李国华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 | ||
1.一种磁传感器,具备:
第一磁阻元件;
第二磁阻元件,其与所述第一磁阻元件电连接而构成桥电路;
绝缘层,其覆盖所述第一磁阻元件及所述第二磁阻元件;
位于所述绝缘层上的、第一导电体部及与该第一导电体部不同的第二导电体部中的至少所述第一导电体部;以及
第一磁性体构件及第二磁性体构件中的至少所述第一磁性体构件,该第一磁性体构件位于所述第一导电体部上,在从与所述绝缘层正交的方向观察时覆盖所述第一导电体部,该第二磁性体构件位于所述第二导电体部上,在从与所述绝缘层正交的方向观察时覆盖所述第二导电体部,
所述第一磁阻元件具有外周缘及内周缘中的至少所述外周缘,
所述第一磁性体构件在从与所述绝缘层正交的方向观察时,位于比所述第一磁阻元件的所述外周缘靠内侧的区域,
所述第二磁阻元件在从与所述绝缘层正交的方向观察时,位于比所述第一磁阻元件的所述内周缘靠内侧的区域且被所述第一磁性体构件覆盖,或者位于比所述第一磁阻元件的所述外周缘靠外侧的区域且被所述第二磁性体构件覆盖,
所述第一导电体部包括第一基部以及从与所述绝缘层正交的方向观察到的外形面积比所述第一基部的外形面积小的第一狭小部,
在所述第一导电体部中,所述第一基部与所述第一狭小部在与所述绝缘层正交的方向上排列设置。
2.根据权利要求1所述的磁传感器,其中,
所述第一导电体部的所述第一狭小部在与所述绝缘层正交的方向上位于所述第一导电体部的绝缘层侧的端部。
3.根据权利要求1所述的磁传感器,其中,
所述第一导电体部的所述第一狭小部在与所述绝缘层正交的方向上位于所述第一导电体部的第一磁性体构件侧的端部。
4.根据权利要求1所述的磁传感器,其中,
所述第一导电体部的所述第一基部在与所述绝缘层正交的方向上分别位于所述第一导电体部的绝缘层侧的端部及第一磁性体构件侧的端部,
所述第一导电体部的所述第一狭小部在与所述绝缘层正交的方向上被所述第一导电体部的所述第一基部彼此夹着而设置。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的磁传感器,其中,
所述第二导电体部包括第二基部以及从与所述绝缘层正交的方向观察到的外形面积比所述第二基部的外形面积小的第二狭小部,
在所述第二导电体部中,所述第二基部与所述第二狭小部在与所述绝缘层正交的方向上排列设置。
6.根据权利要求5所述的磁传感器,其中,
所述第二导电体部的所述第二狭小部在与所述绝缘层正交的方向上位于所述第二导电体部的绝缘层侧的端部。
7.根据权利要求5所述的磁传感器,其中,
所述第二导电体部的所述第二狭小部在与所述绝缘层正交的方向上位于所述第二导电体部的第二磁性体构件侧的端部。
8.根据权利要求5所述的磁传感器,其中,
所述第二导电体部的所述第二基部在与所述绝缘层正交的方向上分别位于所述第二导电体部的绝缘层侧的端部及第二磁性体构件侧的端部,
所述第二导电体部的所述第二狭小部在与所述绝缘层正交的方向上被所述第二导电体部的所述第二基部彼此夹着而设置。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的磁传感器,其中,
当将所述第一磁性体构件的厚度设为xμm时,
所述第一磁阻元件的至少一部分在从与所述绝缘层正交的方向观察时,位于从向内侧与所述第一磁性体构件的所述外周缘分离了2μm的位置到向外侧与所述第一磁性体构件的所述外周缘分离了下述式(I)所示的yμm的位置为止的区域的至少一部分,
y=-0.0008x2+0.2495x+6.6506 (I)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社村田制作所,未经株式会社村田制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880078121.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:清洁器
- 下一篇:磁传感器及电流传感器