[发明专利]磁传感器及电流传感器

说明书

磁传感器(1)具备：基板；以及磁阻元件部，其在基板上被设置为具有规定的磁敏方向，在与磁敏方向正交的方向上被施加偏置磁场，磁阻元件部包括具有负的磁致伸缩常数的磁性层，在对基板沿与磁敏方向平行的方向作用了拉伸应力的情况下，在与偏置磁场的方向平行的方向上表现出磁性层的应力诱导各向异性。

技术领域

本公开涉及磁传感器及电流传感器。

背景技术

以往，在使用了磁阻效应的磁传感器中，为了提高传感器特性及可靠性而提出了各种控制磁各向异性的方法。例如，在日本特开平7-244142号公报(专利文献1)及日本特开2002-189067号公报(专利文献2)中，公开了利用基于逆磁致伸缩效应的应力诱导各向异性的方法。

在专利文献1所公开的磁传感器中，在具备使用了强磁性金属薄膜的传感器图案的磁传感器中，在强磁性金属薄膜具有正的磁致伸缩常数的情况下，向传感器图案的难磁化方向施加持续的拉伸应力，该强磁性金属薄膜的磁化方向根据磁场的强度而在易磁化方向与难磁化方向之间变化。另一方面，在强磁性金属薄膜具有负的磁致伸缩常数的情况下，向传感器图案的难磁化方向施加持续的压缩应力。由此，能够实现微小磁场中的高灵敏度化。

专利文献2所公开的磁传感器配置在压电基板上，通过向压电基板施加电压而向磁传感器施加应变。由此，构成磁传感器的磁性材料的内部的各向异性变化，传感器特性变化。其结果是，能够在磁传感器成为高灵敏度的点决定动作点。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平7-244142号公报

专利文献2：日本特开2002-189067号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，在专利文献1所公开的磁传感器中，在即便施加持续的应力时也通过来自外部的输入等而使应力变动的情况下，在与磁敏方向平行的方向上表现出应力诱导磁各向异性。由此，零磁场中的磁传感器的电阻值发生变动。

专利文献2所公开的磁传感器是使用压电元件的结构，因此，其结构变得较大，制造成本增加。

本公开是鉴于上述的问题而完成的，本公开的目的在于，提供一种能够提高针对应力变动的可靠性的磁传感器及电流传感器。

用于解决课题的手段

本公开的第一方面的磁传感器具备：基板；以及磁阻元件部，其在上述基板上被设置为具有规定的磁敏方向，在与上述磁敏方向正交的方向上被施加偏置磁场，上述磁阻元件部包括具有负的磁致伸缩常数的磁性层，在对上述基板沿与上述磁敏方向平行的方向作用了拉伸应力的情况下，在与上述偏置磁场的方向平行的方向上表现出上述磁性层的应力诱导各向异性。

本公开的第二方面的磁传感器具备：基板；以及磁阻元件部，其在上述基板上被设置为具有规定的磁敏方向，在与上述磁敏方向正交的方向上被施加偏置磁场，上述磁阻元件包括具有正的磁致伸缩常数的磁性层，在对上述基板沿与上述磁敏方向平行的方向作用了压缩应力的情况下，在与上述偏置磁场的方向平行的方向上表现出上述磁性层的应力诱导各向异性。

在上述本公开的第一方面及第二方面的磁传感器中，上述基板优选具有长条形状，该长条形状具有长边方向。在该情况下，上述磁敏方向优选与上述长边方向平行。

在上述本公开的第一方面及第二方面的磁传感器中，上述磁阻元件部也可以包括串联地电连接的第一磁阻元件、第二磁阻元件、第三磁阻元件及第四磁阻元件，该第一磁阻元件、第二磁阻元件、第三磁阻元件及第四磁阻元件沿着与上述偏置磁场的方向平行的方向呈列状排列。在该情况下，优选的是，从连接上述第一磁阻元件及上述第二磁阻元件之间的连接部检测上述第一磁阻元件与上述第二磁阻元件的中点电位，从连接上述第三磁阻元件及上述第四磁阻元件之间的连接部检测上述第三磁阻元件与上述第四磁阻元件的中点电位。