[发明专利]检查装置有效
申请号: | 201880078170.8 | 申请日: | 2018-11-29 |
公开(公告)号: | CN111433900B | 公开(公告)日: | 2023-10-03 |
发明(设计)人: | 河西繁;赤池由多加;中山博之;藤泽良德 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01R31/26 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检查 装置 | ||
1.一种检查装置,其一边使光入射到形成于被检查体的摄像器件,一边使接触端子与该摄像器件的布线层电接触,来检测该摄像器件,所述检查装置的特征在于:
所述摄像器件是从背面入射光的部件,所述背面是与设置有所述布线层的一侧相反的一侧的面,
该检查装置包括:
载置台,其能够以与所述摄像器件的背面相对的方式载置所述被检查体,并由光透射材料形成;和
光照射机构,其以将所述载置台间隔在中间的方式与所述被检查体相对地配置,具有面向所述被检查体的多个LED。
2.如权利要求1所述的检查装置,其特征在于:
所述载置台具有供能够透射来自所述LED的光的致冷剂流通的致冷剂流路,
该检查装置具有温度控制部,所述温度控制部调节所述致冷剂的条件,来控制所述载置台上的所述被检查体的温度。
3.如权利要求2所述的检查装置,其特征在于:
所述载置台在所述被检查体侧具有第1部件,在所述光照射部件侧具有第2部件,所述致冷剂的流路由所述第1部件和所述第2部件形成,
所述第1部件与所述被检查体相比热传导率高,所述第2部件与所述被检查体相比热传导率高低。
4.如权利要求3所述的检查装置,其特征在于:
所述第1部件包含蓝宝石、氮化镓或者碳化硅。
5.如权利要求3所述的检查装置,其特征在于:
所述第2部件包含石英、聚碳酸酯、聚氯乙烯、丙烯酸树脂或者玻璃。
6.如权利要求2所述的检查装置,其特征在于:
在所述载置台与所述被检查体之间具有热阻降低流体供给部,该热阻降低流体供给部供给使该载置台与该被检查体之间的热阻降低的流体。
7.如权利要求1所述的检查装置,其特征在于:
所述光照射机构具有使来自所述LED的光成为平行光的准直部件,将所述平行光照射到所述被检查体。
8.如权利要求1所述的检查装置,其特征在于:
具有调节所述光照射机构相对于所述载置台的角度的角度调节机构。
9.如权利要求1所述的检查装置,其特征在于:
所述多个LED包括出射彼此不同的波长的光的LED。
10.如权利要求1所述的检查装置,其特征在于:
所述光照射机构经由仅使从所述LED出射的光中具有规定波长的光透射的滤光片,对所述被检查体进行照射。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造