[发明专利]动态L2P高速缓存

权利要求书

1.一种由NAND存储器装置的控制器执行的方法，所述控制器与易失性存储器通信，所述方法包括：

确定所述NAND存储器装置的命令队列深度；

确定命令队列深度超过经确定阈值数目个命令且读取命令对写入命令的比率超过经确定阈值比率；

响应于确定所述命令队列深度超过所述经确定阈值数目个命令且读取命令对写入命令的所述比率超过所述经确定阈值比率，将分配给施体存储器位置的易失性存储器量重新分配给逻辑到物理L2P高速缓存；及

将所述L2P高速缓存中的额外L2P表条目存储于先前分配给所述施体存储器位置且现由于增加所述L2P高速缓存而分配给所述L2P高速缓存的所述易失性存储器的区域中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述施体存储器位置是写入缓冲器的一部分。

3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：

在存储额外L2P表条目之后，确定所述命令队列深度不再超过所述经确定阈值数目个命令；和

响应于确定所述命令队列深度不再超过所述经确定阈值数目个命令，通过将所述易失性存储器量的至少一部分重新分配回所述施体存储器位置来减小所述L2P高速缓存的大小。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法进一步包括，在存储所述L2P高速缓存中的额外L2P表条目之后：

将所述易失性存储器量从所述L2P高速缓存重新分配回所述施体存储器位置，使得所述L2P高速缓存是默认值；

确定所述NAND存储器装置的所述命令队列深度；

确定所述命令队列深度超过所述经确定阈值数目个命令且写入命令对读取命令的比率超过第二经确定阈值比率；

响应于确定所述命令队列深度超过所述经确定阈值数目个命令且写入命令对写入命令的所述比率超过所述第二经确定阈值比率，将分配给读取缓冲器的第二易失性存储器量重新分配给所述逻辑到物理L2P高速缓存；及

将所述L2P高速缓存中的进一步L2P表条目存储于先前分配给所述读取缓冲器且现由于增加所述L2P高速缓存而分配给所述L2P高速缓存的所述易失性存储器的区域中。

5.一种NAND存储器装置，其包括：

易失性存储器；

控制器，所述控制器执行指令，从而执行以下操作：

确定所述NAND存储器装置的命令队列深度；

确定命令队列深度超过经确定阈值数目个命令且读取命令对写入命令的比率超过经确定阈值比率；

响应于确定所述命令队列深度超过所述经确定阈值数目个命令且读取命令对写入命令的所述比率超过所述经确定阈值比率，将分配给施体存储器位置的易失性存储器量重新分配给逻辑到物理L2P高速缓存；及

将所述L2P高速缓存中的额外L2P表条目存储于先前分配给所述施体存储器位置且现由于增加所述L2P高速缓存而分配给所述L2P高速缓存的所述易失性存储器的区域中。

6.根据权利要求5所述的NAND存储器装置，其中所述施体存储器位置是读取缓冲器。

7.根据权利要求5所述的NAND存储器装置，其中所述施体存储器位置是写入缓冲器。

8.根据权利要求5所述的NAND存储器装置，其中所述施体存储器位置是读取缓冲器及写入缓冲器两者的一部分。

9.根据权利要求5所述的NAND存储器装置，其中所述施体存储器位置是写入缓冲器的一部分。

10.根据权利要求5所述的NAND存储器装置，其中由所述控制器执行的所述操作进一步包括：

在存储额外L2P表条目之后，确定所述命令队列深度不再超过所述经确定阈值数目个命令；和

响应于确定所述命令队列深度不再超过所述经确定阈值数目个命令，通过将所述易失性存储器量的至少一部分重新分配回所述施体存储器位置来减小所述L2P高速缓存的大小。