[发明专利]整流电路和包括该整流电路的装置有效

专利信息
申请号: 201880078371.8 申请日: 2018-11-07
公开(公告)号: CN111542994B 公开(公告)日: 2023-07-14
发明(设计)人: 伊戈尔·斯皮内拉;恩里科·登特;乔瓦尼·马西亚 申请(专利权)人: 艾格电子工程股份公司
主分类号: H02M3/00 分类号: H02M3/00;H02M3/335
代理公司: 华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 易皎鹤
地址: 意大利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 整流 电路 包括 装置
【权利要求书】:

1.整流电路(10,10.1-10.9),包括在输出节点(Out)和参考节点(GND)之间并联的第一电路分支(20)和第二电路分支(30),每个电路分支(20,30)包括与电流控制元件(23,33)串联的电感元件(L1,L2)和布置在所述电感元件(L1,L2)和所述电流控制元件(23,33)之间的输入节点(In1,In2),在所述整流电路的操作期间在所述输入节点(In1,In2)之间施加随时间可变的输入电压(ΔVin),其中,每个电感元件(L1,L2)不包括变压器的任何绕组,其中每个电流控制元件(23,33)包括晶体管(M1,M2)以及二极管(D1,D2),所述晶体管(M1,M2)具有连接到所述参考节点(GND)的第一导电端子和连接到相应的输入节点(In1,In2)的第二导电端子,所述二极管(D1,D2)具有连接到所述参考节点(GND)的阳极和连接到相应的输入节点(In1,In2)的阴极,所述晶体管(M1,M2)与所述二极管(D1,D2)并联。

2.根据权利要求1所述的整流电路(10,-10.9),其特征在于,每个晶体管(M1,M2)选自场效应晶体管或双极晶体管。

3.根据权利要求2所述的整流电路(10,10.1-10.9),其特征在于,每个晶体管(M1,M2)是场效应晶体管,所述场效应晶体管的源极端子连接到所述参考节点(GND),并且所述场效应晶体管的漏极端子连接到相应的输入节点(In1,In2)。

4.根据权利要求1所述的整流电路(10,10.1-10.9),其特征在于,每个电流控制元件(23,33)包括另一晶体管(M3,M4),所述另一晶体管(M3,M4)反串联连接到相应的晶体管(M1,M3)。

5.根据权利要求1所述的整流电路(10,10.1-10.9),其特征在于,第一电容元件(Co)和负载元件(RL)在所述整流电路(10,10.1-10.9)的所述输出节点(Out)和所述参考节点(GND)之间并联耦合。

6.根据权利要求5所述的整流电路(10,10.1-10.9)提供另一电流控制元件(43),包括晶体管(M5,M6.1-M6.n),串联连接到彼此并联的所述第一电容元件(Co)和所述负载元件(RL),所述晶体管(M5,M6.1-M6.n)与并联的所述第一电容元件(Co)和所述负载元件(RL)在所述输出节点(Out)和所述参考节点(GND)之间串联连接。

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