[发明专利]金溅射靶及其制造方法

权利要求书

1.一种金溅射靶，其是具有99.999％以上的金纯度、并且具有溅射面的板状或圆筒状的金溅射靶，其中，维氏硬度的平均值为20以上且小于40，平均结晶粒径为30μm以上且200μm以下，在被溅射的表面，金的{110}面优先取向，

对所述表面进行X射线衍射，根据下述式(1)由金的各晶面的衍射强度比求出各晶面的取向指数N时，金的{110}面的取向指数N大于1、并且在全部晶面的取向指数N中最大，

式(1)中，I/I_(hkl)为X射线衍射中的(hkl)面的衍射强度比，JCPDS·I/I_(hkl)为JCPDS卡中的(hkl)面的衍射强度比，Σ(I/I_(hkl))为X射线衍射中的全部晶面的衍射强度比之和，Σ(JCPDS·I/I_(hkl))为JCPDS卡中的全部晶面的衍射强度比之和，

并且，板状溅射靶的情况下的所述维氏硬度的平均值(HV_tav)是指所述溅射面的维氏硬度的平均值(HV_av1)、与所述溅射面正交的第一截面的维氏硬度的平均值(HV_av2)以及与所述溅射面和所述第一截面成直角的第二截面的维氏硬度的平均值(HV_av3)的平均值，

圆筒状溅射靶的情况下的所述维氏硬度的平均值(HV_tav)是指所述溅射面的与圆筒轴平行的任意的第一直线上的维氏硬度的平均值(HV_av1)、自所述第一直线旋转90°后的第二直线上的维氏硬度的平均值(HV_av2)以及与所述圆筒轴正交的截面的维氏硬度的平均值(HV_av3)的平均值。

2.如权利要求1所述的金溅射靶，其中，所述溅射靶整体的所述维氏硬度的波动为±20％以内。

3.如权利要求1所述的金溅射靶，其中，所述溅射靶整体的所述平均结晶粒径的波动为±20％以内。

4.如权利要求1～权利要求3中任一项所述的金溅射靶，其具有板形状。

5.如权利要求1～权利要求3中任一项所述的金溅射靶，其具有圆筒形状。

6.权利要求1～权利要求5中任一项所述的金溅射靶的制造方法，其中，所述金溅射靶的制造工序具备：

准备具有99.999％以上的金纯度的金锭的工序；

将所述金锭加工成板状的金坯的第一加工工序；

对所述金坯以使加工率为50％以上且90％以下的方式、在200℃以上且800℃以下的温度下实施一次热锻而得到板状的靶原材的第二加工工序；和

通过将所述靶原材在200℃以上且500℃以下的温度下保持10分钟以上且120分钟以下来进行热处理的热处理工序。

7.权利要求1～权利要求5中任一项所述的金溅射靶的制造方法，其中，所述金溅射靶的制造工序具备：

准备具有99.999％以上的金纯度的金锭的工序；

将所述金锭加工成圆筒状的金坯的第一加工工序；

对所述金坯在200℃以上且800℃以下的温度下实施一次加工率为30％以上且80％以下的热锻而得到圆筒状的靶原材的第二加工工序；和

通过将所述靶原材在200℃以上且500℃以下的温度下保持10分钟以上且120分钟以下来进行热处理的热处理工序。