[发明专利]用于工程化衬底上的集成式器件的系统和方法

权利要求书

1.一种形成多个器件的方法，包括：

通过以下步骤形成衬底：

提供多晶陶瓷芯；

利用第一粘附壳包封所述多晶陶瓷芯；

利用阻挡层包封所述第一粘附壳；

在所述阻挡层上形成键合层；以及

形成耦合至所述键合层的实质单晶层；

形成耦合至所述实质单晶层的缓冲层；

根据与所述多个器件相关联的需求在所述缓冲层上形成一个或多个III-V族外延层；以及

通过以下步骤在所述衬底上形成所述多个器件：

将设置在所述多个器件之间的所述一个或多个III-V族外延层的一部分移除；以及

将设置在所述多个器件之间的所述缓冲层的一部分移除。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述一个或多个III-V族外延层包括GaN。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：将所述衬底上的所述多个器件平坦化。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述平坦化进一步包括：

在所述多个器件上形成电介质层；以及

使用化学机械平坦化来使所述多个器件平滑。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：在所述多个器件中的第一器件与所述多个器件中的第二器件之间制造一个或多个互连。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：

将所述多个器件中的每一个器件上的第一表面键合至临时载体，其中所述第一表面与所述衬底相对；

移除所述衬底，以暴露所述器件中的每一个器件上的第二表面；

在所述第二表面上形成导电层；以及

将载体晶圆键合至所述导电层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，进一步包括：移除所述载体晶圆的一个或多个部分，以形成一个或多个背面接点。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个器件包括：耗尽型高电子迁移率晶体管(HEMT)和增强型高电子迁移率晶体管。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个器件包括：第一耗尽型高电子迁移率晶体管(HEMT)和第二耗尽型高电子迁移率晶体管。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个器件包括：第一增强型高电子迁移率晶体管(HEMT)和第二增强型高电子迁移率晶体管。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个器件包括：高电子迁移率晶体管(HEMT)和垂直型器件。

12.一种形成多个器件的方法，包括：

通过以下步骤形成衬底：

提供多晶陶瓷芯；

利用粘附壳包封所述多晶陶瓷芯；

利用阻挡层包封所述粘附壳；

在所述阻挡层上形成键合层；以及

形成耦合至所述键合层的实质单晶层；

形成耦合至所述实质单晶层的导电层；

形成耦合至所述导电层的缓冲层；

根据所述多个器件中的每一个器件的需求在所述缓冲层上形成一个或多个III-V族外延层；以及

通过以下步骤形成所述多个器件：

将设置在所述多个器件之间的所述一个或多个III-V族外延层的一部分以及所述缓冲层的一部分移除，以暴露所述导电层的一部分；

形成耦合至所述导电层的暴露部分中的一部分的接点；以及

将未耦合至所述接点的所述导电层的剩余的暴露部分移除。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，进一步包括：将所述衬底上的所述多个器件平坦化。