[发明专利]MI元件的制造方法及MI元件

权利要求书

1.一种磁阻抗元件的制造方法，包括：

绝缘步骤，在非晶线的外周形成绝缘体层；

无电解镀敷步骤，在所述绝缘体层的外周面形成无电解镀敷层；

电解镀敷步骤，在所述无电解镀敷层的外周面形成电解镀敷层；

抗蚀剂步骤，在所述电解镀敷层的外周面形成抗蚀剂层；

曝光步骤，通过以激光对所述抗蚀剂层进行曝光，而在所述抗蚀剂层的外周面形成螺旋状的沟道部；以及

蚀刻步骤，将所述抗蚀剂层作为遮盖材而进行蚀刻，去除所述沟道部中的所述无电解镀敷层及所述电解镀敷层，由此由残存的所述无电解镀敷层及所述电解镀敷层形成线圈。

2.根据权利要求1所述的磁阻抗元件的制造方法，包括包覆步骤，所述包覆步骤是由树脂层包覆所述蚀刻步骤中形成的所述线圈，并在所述线圈之间填充树脂。

3.根据权利要求1或2所述的磁阻抗元件的制造方法，其中在所述绝缘步骤中，使所述绝缘体层的厚度在圆周方向上均匀地形成。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的磁阻抗元件的制造方法，其中

在所述绝缘步骤中，所述非晶线的两端部自绝缘体层露出，

在所述无电解镀敷步骤中，所述无电解镀敷层是以与所述非晶线的两端部接触的方式形成，

在所述曝光步骤中，形成有所述沟道部、以及较所述沟道部的两端部而在更外端侧隔开并绕所述抗蚀剂层一周的一对环状槽，

在所述蚀刻步骤中，在所述一对环状槽的更外端侧残存的所述无电解镀敷层及所述电解镀敷层形成为所述非晶线的电极，在所述一对环状槽之间残存的所述无电解镀敷层及所述电解镀敷层形成为所述线圈，所述线圈的两端部形成为绕所述绝缘体层一周的环状的线圈电极。

5.一种磁阻抗元件，包括：

非晶线；

绝缘体层，形成于所述非晶线的外周；以及

线圈，以螺旋状形成于所述绝缘体层的外周面，且所述磁阻抗元件中，

所述线圈是由无电解镀敷层、与形成于所述无电解镀敷层的外周面的电解镀敷层这两层来形成。

6.根据权利要求5所述的磁阻抗元件，其中所述线圈由树脂层包覆并在所述线圈之间填充有树脂。

7.根据权利要求5或6所述的磁阻抗元件，其中所述绝缘体层的厚度在圆周方向上均匀地形成。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的磁阻抗元件，其中所述非晶线的两端部与由包覆所述绝缘体层的端部的无电解镀敷层与形成于所述无电解镀敷层的外周面的电解镀敷层这两层所形成的电极进行连接。

9.根据权利要求5至8中任一项所述的磁阻抗元件，其中所述线圈的两端部形成为绕所述绝缘体层一周的环状的线圈电极。