[发明专利]半导体整流器

权利要求书

1.一种半导体整流器，其特征在于，

具备：

具有源电极、漏电极以及门电极的晶体管；以及

二极管，其具有阳电极以及阴电极，上述阳电极与上述门电极导通，上述阴电极与上述源电极导通。

2.根据权利要求1所述的半导体整流器，其特征在于，

上述晶体管是正常导通型。

3.根据权利要求1或2所述的半导体整流器，其特征在于，

具备介于上述阳电极与上述门电极的导通路径中的第一电阻器。

4.根据权利要求3所述的半导体整流器，其特征在于，

上述第一电阻器与上述晶体管以及上述二极管的至少任一个一体地形成。

5.根据权利要求1至4任一项所述的半导体整流器，其特征在于，

具备相对于上述二极管并联地连接的电容器。

6.根据权利要求5所述的半导体整流器，其特征在于，

具备相对于上述电容器串联地连接的第二电阻器。

7.根据权利要求6所述的半导体整流器，其特征在于，

上述第二电阻器与上述晶体管以及上述二极管的至少任一个一体地形成。

8.根据权利要求1至7任一项所述的半导体整流器，其特征在于，

上述晶体管具有GaN半导体层或SiC半导体层。

9.根据权利要求1至8任一项所述的半导体整流器，其特征在于，

上述二极管是Si肖特基势垒二极管。

10.根据权利要求1至9任一项所述的半导体整流器，其特征在于，

上述晶体管的耐压比上述二极管的耐压高。

11.根据权利要求1至10任一项所述的半导体整流器，其特征在于，

上述晶体管与上述二极管共有相同的半导体基板。

12.根据权利要求1至11任一项所述的半导体整流器，其特征在于，

上述二极管的阈值电压为0.8V以下。

13.根据权利要求1至12任一项所述的半导体整流器，其特征在于，

上述晶体管的上述漏电极以及上述源电极之间的静电容量Cds、上述门电极以及上述源电极之间的静电容量Cgs以及上述二极管的静电容量Cdi满足以下关系：

2Cds≦Cdi+Cgs。

14.根据权利要求5至7任一项所述的半导体整流器，其特征在于，

上述晶体管的上述漏电极以及上述源电极之间的静电容量Cds、上述门电极以及上述源电极之间的静电容量Cgs、上述二极管的静电容量Cdi以及上述电容器的静电容量Cxd满足以下关系：

2Cds≦Cdi+Cgs+Cxd。

15.根据权利要求1至14任一项所述的半导体整流器，其特征在于，

上述晶体管具有GaN半导体层，并且上述源电极、上述漏电极以及上述门电极位于相同侧。

16.根据权利要求1至14任一项所述的半导体整流器，其特征在于，

上述晶体管具有SiC半导体层，并且上述源电极以及上述门电极与上述漏电极位于相互相反侧。

17.根据权利要求1至16任一项所述的半导体整流器，其特征在于，

在上述晶体管的上述源电极上导通接合有上述晶体管的上述阴电极。