[发明专利]振荡器电路装置

权利要求书

1.一种振荡器电路装置，包括：

反相器(MN1、MP1)，其具有待连接到晶体器件(XC)的输入端子(XIN)和输出端子(XOUT)，并且具有电源端子；

自动增益控制器件(AGC)，其连接到所述反相器的输出端子(XOUT)，并且连接到可控电流源(MP2)，所述可控电流源连接到所述反相器的电源端子；

第一和第二二极管器件(MND2、MND3)，其具有不同的取向并且连接在所述反相器的输入(XIN)与输出(XOUT)之间。

2.根据权利要求1所述的振荡器电路装置，还包括：可控电阻器(MN4)以及电流路径(MP3、MN3、MN2)，所述可控电阻器连接在所述反相器的输入与输出端子(XIN、XOUT)之间，所述电流路径包括由自动增益控制器件(AGC)的输出控制的另外的可控电流源(MP3)，所述电流路径控制可控电阻器(MN4)。

3.根据权利要求2所述的振荡器电路装置，其中，所述电流路径包括至少一个电阻元件(MN3、MN2)，所述电流路径的可控电流源(MP3)通过所述至少一个电阻元件连接到用于接地电势(GND)的端子。

4.根据权利要求3所述的振荡器电路装置，其中，所述电流路径的至少一个电阻元件包括第一和第二二极管器件(MN3、MN2)的串联连接。

5.根据权利要求4所述的振荡器电路装置，还包括第三二极管器件(MND1)，其连接在所述电流路径的电阻元件的第一和第二二极管器件(MN2、MN3)中的一个与所述反相器的输出端子(XOUT)之间。

6.根据权利要求5所述的振荡器电路装置，其中，所述第三二极管器件(MND1)包括栅极和漏极端子彼此连接的MOS晶体管。

7.根据权利要求2至6中任一项所述的振荡器电路装置，其中，所述第一和第二二极管器件(MND2、MND3)各自包括栅极和漏极端子彼此连接的MOS晶体管。

8.根据权利要求4或5所述的振荡器电路装置，其中，所述电阻元件的第一和第二二极管器件(MN2、MN3)各自包括栅极和漏极端子彼此连接的MOS晶体管。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的振荡器电路装置，其中，所述第一、第二和第三二极管器件(MND2、MND3、MND1)的MOS晶体管和所述可控电阻器(MN4)分别是n沟道MOS晶体管。

10.根据权利要求3至9中任一项所述的振荡器电路装置，其中，所述可控电流源(MP2、MP3)分别是栅极端子连接到自动增益控制器件(AGC)的输出的p沟道MOS晶体管。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的振荡器电路装置，其中，所述第一二极管器件(MND2)具有彼此连接并且连接到所述反相器的输入(XIN)的栅极端子和漏极端子，并且具有连接到所述反相器的输出(XOUT)的源极端子。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的振荡器电路装置，其中，所述第二二极管器件(MND3)具有彼此连接并且连接到所述反相器的输出(XOUT)的栅极端子和漏极端子，并且具有连接到所述反相器的输入(XIN)的源极端子。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的振荡器电路装置，其中，所述自动增益控制器件(AGC)生成输出信号，所述输出信号在接近振荡器的启动工作阶段具有高增益，并且在振荡器的稳态工作阶段具有低增益。