[发明专利]熔融材料处理装置在审
| 申请号： | 201880079794.1 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN111448012A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 金星茁;徐正道;安钟泰 | 申请（专利权）人： | 株式会社POSCO |
| 主分类号： | B22D11/103 | 分类号： | B22D11/103;B22D41/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;苏虹 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 熔融 材料 处理 装置 | ||
1.一种熔融材料处理装置，包括：
容器，所述容器包括形成在其中的熔融材料容置空间、布置在所述容器的一侧的熔融材料入口部以及形成在所述容器的另一侧的熔融材料出口；以及
坝，所述坝位于所述熔融材料入口部与所述熔融材料出口之间使得所述坝的一个表面直接面对所述熔融材料入口部，并且所述坝安装在所述容器的底部上并连接至两个纵向方向侧壁，
其中，所述坝安装在形成于所述熔融材料入口部下方的熔融材料的下落区域上，并且所述坝具有位于所述熔融材料的上部部分中的顶表面。
2.根据权利要求1所述的熔融材料处理装置，其中，所述坝安装在所述下落区域的边缘部分上。
3.根据权利要求1所述的熔融材料处理装置，其中，所述坝的另一表面直接面对位于熔融材料出口侧的宽度方向侧壁。
4.根据权利要求1所述的熔融材料处理装置，其中，所述下落区域的大小与所述熔融材料入口部的内径成比例，并且
所述坝的所述一个表面与所述熔融材料入口部之间的距离与所述下落区域的所述大小成比例。
5.根据权利要求1所述的熔融材料处理装置，其中，所述坝的所述一个表面与所述熔融材料入口部之间的距离在所述熔融材料入口部的内径的2.5倍至5倍的范围内。
6.根据权利要求1所述的熔融材料处理装置，其中，所述坝的所述顶表面的高度在所述熔融材料的熔体高度的0.5倍至0.75倍的范围内。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的熔融材料处理装置，还包括形成在所述坝中的通孔。
8.根据权利要求7所述的熔融材料处理装置，其中，所述通孔形成在所述坝的下部部分中，所述通孔限定于从所述一侧朝向所述另一侧的方向上，并且具有直接连接至所述底部的内壁。
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