[发明专利]电镀动态边缘控制有效
申请号: | 201880079836.1 | 申请日: | 2018-11-27 |
公开(公告)号: | CN111466016B | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 保罗·麦克休;格雷戈里·J·威尔逊;丹尼尔·伍德拉夫;马文·伯恩特 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H02N13/00;B23Q3/15;H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电镀 动态 边缘 控制 | ||
1.一种电镀系统,所述电镀系统包括:
容器;
晶片固持件,被构造用于固持晶片于所述容器中;
阳极,于所述容器中;
多个取样电极,其中针对所述取样电极中的每个取样电极:
取样电流通道由通道墙所限定,
所述通道墙限定邻近于所述晶片固持件的开孔,
所述取样电流通道从所述取样电极延伸至所述开孔,
所述取样电极包括设置于相应的取样电流通道中的金属线材,
所述通道墙为圆柱形,及
所述通道墙和所述金属线材同轴于一纵轴;及
电流控制系统,与所述多个取样电极电性连接,所述电流控制系统经构造以使得可独立地调整传递至每个取样电极的电流量。
2.如权利要求1所述的系统,其中:
所述多个取样电极包括第一取样电极和第二取样电极,
所述系统包括第一取样电流通道和第二取样电流通道,
所述第一取样电流通道从所述第一取样电极延伸,
所述第二取样电流通道从所述第二取样电极延伸,
所述第一取样电流通道为圆柱形,及
所述第二取样电流通道为环形。
3.如权利要求1所述的系统,其中:
所述多个取样电极包括第一取样电极和第二取样电极,
所述系统包括第一取样电流通道和第二取样电流通道,
所述第一取样电流通道从所述第一取样电极延伸,
所述第二取样电流通道从所述第二取样电极延伸,
所述第一取样电流通道为圆柱形,及
所述第二取样电流通道为圆柱形。
4.如权利要求1所述的系统,其中:
当所述晶片接触所述晶片固持件时所述多个取样电极距所述晶片所限定的平面上的一点的距离相等,及
所述多个取样电极包括三个取样电极。
5.如权利要求1所述的系统,其中:
针对所述多个取样电极中的每个取样电极:
所述金属线材设置于管状隔膜中,
所述管状隔膜设置于所述取样电流通道中,及
所述通道墙、所述管状隔膜、和所述金属线材同轴于所述纵轴。
6.如权利要求5所述的系统,其中:
所述容器包含第一电解液,所述第一电解液包括数种金属离子,
所述多个取样电极中的每个取样电极设置于取样电解液中,
所述取样电解液设置于所述金属线材与所述管状隔膜之间,及
隔离电解液设置于所述管状隔膜与所述通道墙之间。
7.如权利要求1所述的系统,其中:
所述晶片固持件被构造成旋转所述晶片,及
所述电流控制系统经构造以使得每个取样电极的所述电流量可基于所述晶片的可旋转位置而变化。
8.如权利要求1所述的系统,其中:
所述多个取样电极设置成一圆,及
所述多个取样电极围绕所述圆不均匀地分布。
9.如权利要求1所述的系统,其中针对所述多个取样电极中的每个取样电极:
所述取样电流通道从所述取样电极延伸至邻近所述晶片固持件的虚拟取样位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造