[发明专利]光耦合器以及光放大器在审

专利信息
申请号: 201880080111.4 申请日: 2018-12-17
公开(公告)号: CN111492545A 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 高坂繁弘;前田幸一 申请(专利权)人: 古河电气工业株式会社
主分类号: H01S3/067 分类号: H01S3/067;G02B6/26
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 刘文海
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 耦合器 以及 放大器
【说明书】:

目的在于提供有助于光放大器的激发效率的提升的光耦合器以及光放大器。光耦合器具备:主光纤,其具备传输信号光的芯部、形成于芯部的外周且折射率比芯部低的内侧包层部、以及形成于内侧包层部的外周且折射率比内侧包层部低的外侧包层部,所述主光纤在长度方向上的一部分被去除了外侧包层部;以及至少一根激发光输入输出用光纤,其与主光纤的被去除了外侧包层部的部分中的内侧包层部熔融连接,且其与内侧包层部接触的接触区域的平均折射率比内侧包层部的折射率大,在激发光输入输出用光纤中传输的激发光从接触区域与内侧包层部耦合而在内侧包层部中传输,或者在内侧包层部中传输了的激发光从接触区域与激发光输入输出用光纤耦合而在激发光输入输出用光纤中传输。

技术领域

本发明涉及光耦合器以及光放大器。

背景技术

例如,在海底光通信等用途中,通过使用多芯EDFA(Erbium-Doped optical FiberAmplifier)作为光放大器,而期待削减光放大器的消耗电力。

作为多芯EDFA,已知有使用双包层型的多芯EDF并通过包层激发方式对芯部所包含的光放大介质即铒(Er)进行光激发的结构(参照非专利文献1、2)。

现有技术文献

非专利文献

非专利文献1:Kazi S Abedin et al,“Multimode Erbium Doped FiberAmplifiers for Space Division Multiplexing Systems”,JOURNAL OF LIGHTWAVETECHNOLOGY,VOL.32,NO.16,AUGUST 15,2014 pp.2800-2808.

非专利文献2:Kazi S Abedin et al,“Cladding-pumped erbium-dopedmulticore fiber amplifier”,OPTICS EXPRESS Vol.20,No.18 27 August2012PP.20191-20200.

发明内容

发明要解决的课题

在光放大器中,从消耗电力的削减的观点等出发希望激发效率的提升。在此,激发效率以光放大了的信号光的功率与激发光的功率之比表示。即,激发效率越高,则即使是相同的激发光功率,信号光功率也变大。激发光功率中的无助于信号光的光放大的部分例如变换为热量而被废弃。特别是,EDF与包含其他光放大介质即镱(Yb)的YDF、包含铒和镱的EYDF相比激发效率较低,因此希望更进一步的提升激发效率。

本发明是鉴于上述情况而完成的,目的在于提供有助于光放大器的激发效率的提升的光耦合器以及使用了该光耦合器的光放大器。

用于解决课题的方案

为了解决上述的课题并达成目的,本发明的一方案所涉及的光耦合器的特征在于,所述光耦合器具备:主光纤,其至少具备传输信号光的芯部、形成于所述芯部的外周且折射率比所述芯部低的内侧包层部、及形成于所述内侧包层部的外周且折射率比所述内侧包层部低的外侧包层部,所述主光纤在长度方向上的一部分被去除了所述外侧包层部;以及至少一根激发光输入输出用光纤,其与所述主光纤的被去除了所述外侧包层部的部分中的所述内侧包层部熔融连接,并且其与所述内侧包层部接触的接触区域的平均折射率比所述内侧包层部的折射率大,在所述激发光输入输出用光纤中传输的激发光从所述接触区域与所述内侧包层部耦合而在所述内侧包层部中传输,或者在所述内侧包层部中传输了的所述激发光从所述接触区域与所述激发光输入输出用光纤耦合而在所述激发光输入输出用光纤中传输。

本发明的一方案所涉及的光耦合器的特征在于,所述激发光输入输出用光纤的所述接触区域的平均折射率相对于所述内侧包层部的折射率的相对折射率差为0.05%以上。

本发明的一方案所涉及的光耦合器的特征在于,具备多个所述激发光输入输出用光纤。

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