[发明专利]包含有机半导体层的有机电子器件

权利要求书

1.一种式I的化合物：

其中

X¹至X²⁰独立地选自N、C-H、C-R¹、C-Z，和/或通过化学键彼此连接的X¹至X⁵、X⁶至X¹⁰、X¹¹至X¹⁵、X¹⁶至X²⁰中的至少两个桥接以形成增环的芳族环或增环的杂芳族环，且

其中X¹至X²⁰中的至少一个选自C-Z；

R¹选自–NR²R³或–BR²R³；

R²和R³是独立选择的C_6-24芳基和C_2-20杂芳基；

Z是式II的取代基：

其中

Ar¹独立地选自取代或未取代的C_6-C₆₀芳基和取代或未取代的C₂-C₆₀杂芳基，其中C_6-C₆₀芳基或C₂-C₆₀杂芳基的取代基独立地选自直链C_1-20烷基、支链C_3-20烷基或C_3-20环状烷基、直链C_1-12氟化烷基、直链C_1-12氟化烷氧基、支链C_3-12氟化烷基、支链C_3-12氟化烷氧基、C_3-12环状氟化烷基、C_3-12环状氟化烷氧基、OR、SR、(P＝O)R₂；

Ar²独立地选自：

-式I，但是X¹至X²⁰不是C-Z，

-取代或未取代的C₂-C₆₀杂芳基；

其中所述C₂-C₆₀杂芳基的取代基独立地选自C₁-C₂₀直链烷基、C₃-C₂₀支链烷基或C₃-C₂₀环状烷基；C₁-C₂₀直链烷氧基、C₃-C₂₀支链烷氧基；直链氟化C₁-C₁₂烷基或直链氟化C₁-C₁₂烷氧基；C₃-C₁₂支链环状氟化烷基、C₃-C₁₂环状氟化烷基、C₃-C₁₂环状氟化烷氧基、腈基、OR、SR、(C＝O)R、(C＝O)NR₂、SiR₃、(S＝O)R、(S＝O)₂R、(P＝O)R₂；

前提条件为Ar²基团包含3至8个非杂芳族6元环；

R独立地选自C₁-C₂₀直链烷基、C₁-C₂₀烷氧基、C₁-C₂₀硫代烷基、C₃-C₂₀支链烷基、C₃-C₂₀环状烷基、C₃-C₂₀支链烷氧基、C₃-C₂₀环状烷氧基、C₃-C₂₀支链硫代烷基、C₃-C₂₀环状硫代烷基、C₆-C₂₀芳基和C₃-C₂₀杂芳基；

n为1或2；

m选自1、2或3；其中

芳族环A、B、C和D均不通过单键连接至三嗪环；且

所述式I的化合物包含至少一个杂原子，其中所述杂原子选自N、O、(P＝O)R₂、-CN；且

所述式I的化合物包含至少8个至14个芳族环；且

Ar¹的杂芳亚基的杂原子选自N、O、B、Si、P、Se；且

任选地，不包括在镜像上可重叠的式I化合物。